[发明专利]半色调掩模及其制造方法有效
申请号: | 201080023383.4 | 申请日: | 2010-05-26 |
公开(公告)号: | CN102449735A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 金武成 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 许向彤;林锦辉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 色调 及其 制造 方法 | ||
1.一种半色调掩模,包括:基底;透射区,形成在所述基底上以透射预定波长范围内的辐射光;以及半透过区,形成在所述基底上,具有多个半透过单元,在使用所述预定波长范围时这些半透过单元根据半透过材料的厚度或层叠的层的数目具有多个互不相同的的透射率。
2.根据权利要求1所述的半色调掩模,还包括具有阻挡层的阻挡区,该阻挡层形成在至少两个半透过材料之间。
3.根据权利要求1所述的半色调掩模,还包括具有阻挡层的阻挡区,该阻挡层形成在至少两个半透过材料的上表面或下表面。
4.根据权利要求1所述的半色调掩模,其中,所述半透过材料包括Cr、Si、Mo、Ta、Ti、Al、Zr、Sn、Zn、In、Mg、Hf、V、Nd、Ge、MgO-Al2O3或Si3N4之一作为主成分,或用至少两种或多种所述元素混合成的复合材料,或者包括在所述单个主成分或所述复合材料中添加有Cox、Ox、Nx、Cx、Fx和Bx中的至少一种的所述单个主成分或所述复合材料,其中,下标x为自然数,限定了每种化学元素的数目。
5.根据权利要求1所述的半色调掩模,其中,所述半透过区包括第一半透过部、第二半透过部和第三半透过部,所述第一半透过部在所述基底上用半透过材料形成以使光的透过率多达X%,所述第二半透过部用更厚的半透过材料形成以使光的透过率多达Y%,所述第三半透过部层叠有两层所述半透过材料以使光的透过率多达Z%。
6.一种半色调掩模的制造方法,包括:在基底上层叠第一半透过材料、阻挡层和光刻胶;对所述光刻胶进行曝光和显影,以使所述阻挡层的必须区域露出,并顺序去掉露出的阻挡层和所述第一半透过材料;在形成有所述第一半透过材料和所述阻挡层的所述基底上层叠光刻胶之后,对所述光刻胶进行曝光和显影,并去掉所述露出的阻挡层,以便露出所述阻挡层的必须区域;在去掉露出的阻挡层之后,顺序层叠第二半透过材料和光刻胶,以形成阻挡区,该阻挡区由形成在所述第一和第二半透过材料之间阻挡层构成;对所述光刻胶进行曝光和显影以便露出所述第二半透过材料的必须区域,并顺序去掉露出的所述第二半透过材料和所述阻挡层;以及形成包括第一半透过部、第二半透过部和第三半透过部的半透过区,所述第一半透过部在所述基底上用所述第一半透过材料形成,所述第二半透过部在所述基底上用所述第二半透过材料形成,所述第三半透过部由所述第一和第二半透过材料层叠形成。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述第一和第二半透过材料用同一半透过材料形成,所述第一和第二半透过材料具有不同的厚度。
8.根据权利要求6所述的方法,其中,所述半透过材料为具有Cr、Si、Mo、Ta、Ti、Al、Zr、Sn、Zn、In、Mg、Hf、V、Nd、Ge、MgO-Al2O3或Si3N4之一作为主成分的材料,或为用至少两种或多种所述元素混合成的复合材料,或为在所述单个主成分或所述复合材料中添加有Cox、Ox、Nx、Cx、Fx和Bx中的至少一种的材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造