[发明专利]用于音频设备的MEMS换能器无效
申请号: | 201080018814.8 | 申请日: | 2010-03-30 |
公开(公告)号: | CN102415108A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 特温·范利庞;格特·兰格雷斯;约瑟夫·卢茨;希尔柯·瑟伊;卡斯·范德阿沃尔特;安德烈亚斯·B·M·扬斯曼 | 申请(专利权)人: | 楼氏电子亚洲有限公司 |
主分类号: | H04R19/00 | 分类号: | H04R19/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吕雁葭 |
地址: | 新加*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 音频设备 mems 换能器 | ||
1.一种用于音频设备的MEMS换能器,所述MEMS换能器包括:
基板(12),
膜(14),附接到所述基板(12),和
背电极(18),附接到所述基板(12),
其中,所述背电极(18)的谐振频率与所述膜(14)的谐振频率匹配。
2.根据权利要求1所述的MEMS换能器,其中所述背电极(18)的刚度适合于使得所述背电极(18)的谐振频率与所述膜(14)的谐振频率匹配。
3.根据权利要求1所述的MEMS换能器,其中所述背电极(18)的质量和/或应力适合于使得所述背电极(18)的谐振频率与所述膜(14)的谐振频率匹配。
4.根据权利要求1所述的MEMS换能器,其中所述背电极(18)的外边缘(28)与所述背电极(18)的中间部分(26)相比变薄。
5.根据权利要求1所述的MEMS换能器,其中在所述背电极(18)的外边缘(28)中设置有一个或多个开口(32)。
6.根据权利要求1所述的MEMS换能器,其中所述背电极(18)的至少中间部分(26)的厚度(tbe,c)是均匀的。
7.根据权利要求1所述的MEMS换能器,其中所述背电极(18)的中间部分(26)的直径(dbe,i)是所述膜(14)的直径(dm)的至少90%。
8.根据权利要求1所述的MEMS换能器,其中在所述背电极(18)的中间部分(26)中设置有孔(24),其中所述孔占用的面积小于所述背电极(18)的中间部分(26)的面积的25%。
9.根据权利要求1所述的MEMS换能器,其中在所述基板(12)和所述背电极(18)之间设置有悬置件(34),其中该悬置件(34)适用于使得所述背电极(18)的谐振频率与所述膜(14)的谐振频率匹配。
10.根据权利要求9所述的MEMS换能器,其中所述背电极(18)和所述悬置件(34)包括相同的材料。
11.根据权利要求1所述的MEMS换能器,其中所述悬置件(34)至少部分地沿着所述背电极(18)的周线布置,并连接所述基板(12)和背电极(18)。
12.根据权利要求9所述的MEMS换能器,其中所述悬置件(34)设计为以放射状方式从所述背电极(18)延伸的直的弹簧臂(36)。
13.根据权利要求9所述的MEMS换能器,其中所述悬置件(34)设计为以匹配所述背电极(18)的周线形状的方式延伸的弹簧臂(36)。
14.根据权利要求1所述的MEMS换能器,其中所述膜(14)的谐振频率与所述背电极(18)的谐振频率之间的差异少于20%,优选地少于5%,进一步优选地少于1%。
15.根据权利要求1所述的MEMS换能器,适用于MEMS麦克风或MEMS扬声器。
16.一种制造用于音频设备的MEMS换能器的方法,所述方法包括:
将膜(14)附接到基板(12)上,
将背电极(18)附接到所述基板(12)上,
将所述背电极(18)的谐振频率与所述膜(14)的谐振频率匹配。
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