[发明专利]电连接形成方法无效
申请号: | 201080018150.5 | 申请日: | 2010-04-06 |
公开(公告)号: | CN102405535A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | Z·李;C·鲁;G·B·普拉巴;D·C·T·卢;G·翁;D·坦纳 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/18 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆嘉;张欣 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 连接 形成 方法 | ||
发明背景
发明所属的技术领域
本发明的实施例一般而言关于一种使用导电粘着剂来形成电连接的方法。
相关技术的描述
光伏(PV)装置或太阳能电池是将日光转换为直流(DC)电力的装置。典型的薄膜型PV装置,或薄膜太阳能电池,具有一或多个p-i-n结。每一p-i-n结包含p型层、本征型层(intrinsic type layer)及n型层。当太阳能电池的p-i-n结暴露于日光(由光子能量组成)时,日光经由PV效应转换为电。可将太阳能电池平铺成较大太阳能电池阵列。藉由连接若干太阳能电池,并将其连结为具有特定框架及连接器的面板可制成太阳能阵列。
通常,薄膜太阳能电池包括活性区域或光电转换单元,及设置作为正面电极及/或背面电极的透明导电氧化物(TCO)膜。光电转换单元包括:p型硅层、n型硅层,及本征型(i型)硅层,该本征型硅层包夹在p型硅层与n型硅层之间。可利用若干类型的硅膜,包括微晶硅膜(μc-Si)、非晶硅膜(a-Si)、多晶硅膜(多晶Si),及其类似物,来形成光电转换单元的p型层、n型层及/或i型层。背面电极可含有一或多个导电层。需要经改良的制程以形成具有良好界面接触、低接触电阻及高总体性能的太阳能电池。
随着传统能源价格上涨,需要使用低成本太阳能电池装置来以低成本方式产生电。常规太阳能电池制造制程为高劳动密集,且具有可影响生产线产能、太阳能电池成本及装置产率的多种中断。举例而言,常规太阳能电池电连接制程需要将已形成的电性引线人工安置并连接至太阳能电池装置的背面电极。此等人工制程劳动密集、耗时且成本高。此外,常规太阳能电池电连接制程(诸如焊接)可能因于电性引线附接制程期间的高度局部加热,而对太阳能电池造成损坏。
因此,需要一种改良的方法以在例如自动太阳能电池生产线中的太阳能电池上,形成电连接。
发明内容
在本发明的一实施例中,一种电连接的形成方法包含以下步骤:将导电粘着剂分配于第一导电部件的表面上;将第二导电部件安置于该导电粘着剂上,以形成复合结构;以基本上超过大气压力的压力压缩该复合结构;及在压缩该复合结构期间固化该导电粘着剂。
在另一实施例中,一种电连接的形成方法包含以下步骤:将导电粘着剂分配于太阳能电池基板的背接触层的表面上,其中该太阳能电池基板包含:玻璃基板、淀积于玻璃基板之上的透明导电层、淀积于透明导电层之上的一或多个硅层,及淀积于该一或多个硅层之上的背接触层;将侧汇流排(side-buss)的一部分安置于该导电粘着剂的一部分上;将聚合材料安置于背接触层及侧汇流排导线之上;将背玻璃基板设置于聚合材料之上以形成复合结构;以基本上超过大气压力的压力压缩复合结构;及在压缩复合结构期间固化导电粘着剂。
在本发明的又一实施例中,一种电连接的形成方法包含以下步骤:将导电粘着剂分配于太阳能电池生产线的接合导线附接模组中的太阳能电池基板的背接触层的表面上,其中该太阳能电池基板包含:玻璃基板、淀积于该玻璃基板之上的透明导电层、淀积于该透明导电层之上的一或多个硅层、淀积于该一或多个硅层之上的背接触层,及配置于该背接触层上的跨越汇流排(cross-buss),以使得该跨越汇流排与该背接触层绝缘;将侧汇流排的一部分安置于该导电粘着剂的一部分上;将聚合材料分配于该背接触层及该侧汇流排之上;将背玻璃基板设置于该聚合材料之上以形成一复合结构;以基本上超过大气压力的压力压缩该复合结构;在该太阳能电池生产线的一热压模组(autoclave module)中,于压缩该复合结构期间固化该导电粘着剂;及经由该太阳能电池生产线中的系统控制器来控制该分配该导电粘着剂步骤与该固化步骤之间的计时。在一实施例中,该导电粘着剂包含其中散布有导电颗粒的环氧树脂。
附图简单说明
为使本发明的上述特征得以更详细被了解,已参照具体实施例而更具体说明以上所简述的发明,其中部分具体实施例例示于附图中。然而,应注意的是,附图仅例示本发明的典型实施例,且因此不应视为限制了其范围,因为本发明可允许其他同等有效的实施例。
图1例示根据本文所描述的一实施例的形成太阳能电池装置的制程。
图2例示根据本文所描述的一实施例的太阳能电池生产线的平面图。
图3A为根据本文所描述的一实施例的薄膜太阳能电池装置的侧截面视图。
图3B为根据本文所描述的一实施例的薄膜太阳能电池装置的侧截面视图。
图3C为根据本文所描述的一实施例的复合太阳能电池结构的平面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的