[发明专利]用于通过温度碰撞过程而在半导体部件和半导体模块之间产生耐高温和耐温度变化的连接的方法有效
| 申请号： | 201080016442.5 | 申请日： | 2010-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN102396057A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | M.科克;R.艾希尔 | 申请（专利权）人： | 丹佛斯硅动力股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王景刚 |
| 地址： | 德国石*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 通过 温度 碰撞 过程 半导体 部件 模块 之间 产生 耐高温 耐温 变化 连接 方法 | ||
【权利要求书】：
1.用于借助温度碰撞过程而在半导体部件和半导体模块之间产生耐高温和耐温度变化的连接的方法，其中
待连接的单独的半导体模块的区域被涂覆有金属粉末悬浮体，
所述悬浮体层通过排放挥发性组分、产生多孔层而被干燥，
所述多孔层随后受到预压缩而不需要穿过整个悬浮体层的完整烧结，
其特征在于，
为了实现将半导体元件牢固的、电和热传导连接在下述组的连接配合件上：基底，其它半导体或者电路板上，所述连接为借助温度增加而在没有压力的情况下产生的烧结连接，所述烧结连接包括干燥的金属粉末悬浮体，其已经在预压缩步骤中实现与所述连接配合件进行的第一可传递接触并且在温度烧结过程中无压地被固定。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，连接配合件的不止一侧设置有金属悬浮体涂层。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，为了改善烧结质量，所述空气使用惰性或活性气体加料。
4.根据前述任一权利要求所述的方法，其特征在于，为了改善烧结质量，所述温度烧结发生在氮气中。
5.根据前述任一权利要求所述的方法，其特征在于，为了改善烧结质量，所述干燥发生在组成气体中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
