[发明专利]阻气膜以及电子器件

权利要求书

1.一种阻气膜，其具有：基体材料、含有聚有机硅氧烷类化合物的层 以及无机物层，所述含有聚有机硅氧烷类化合物的层以及无机物层依次设置 在所述基体材料的至少一侧表面上，其中，

所述无机物层是通过动态离子束混合法成膜的。

2.根据权利要求1所述的阻气膜，其中，构成所述无机物层的无机化 合物为选自金属单质、硅、石墨、无机氧化物、无机氮化物及无机氮氧化物 中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的阻气膜，其中，所述无机化合物为选自氮化 硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝、氧化铟及氧化铟锡中 的至少一种。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的阻气膜，其中，所述动态离子束 混合法中使用的等离子体生成气体为包含选自氦气、氩气、氖气、氪气及氙 气中的至少一种的气体。

5.根据权利要求4所述的阻气膜，其中，所述动态离子束混合法中使 用的等离子体生成气体为进一步含有选自氢气、氧气、氮气及碳氟化合物中 的至少一种气体的混合气体。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的阻气膜，其中，所述动态离子束 混合法在所述基体材料上以脉冲方式施加-50kV～-1kV的负的高电压。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的阻气膜，其中，所述含有聚有机 硅氧烷类化合物的层的厚度为0.01～100μm。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的阻气膜，其中，所述含有聚有机 硅氧烷类化合物的层中的聚有机硅氧烷类化合物为聚二甲基硅氧烷。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的阻气膜，其中，在所述基体材料 的与形成有所述含有聚有机硅氧烷类化合物的层的一侧相反侧的面上，设置 有含有含氟树脂的层。

10.根据权利要求1～7中任一项所述的阻气膜，其中，所述含有聚有 机硅氧烷类化合物的层中的聚有机硅氧烷类化合物的含量为50重量％以上。

11.根据权利要求1或2所述的阻气膜，其中，所述无机物层的厚度为 10～1000nm。

12.一种电子器件，其具有权利要求1～9中任一项所述的阻气膜。

13.根据权利要求12所述的电子器件，其中，所述电子器件为太阳能 电池组件。

14.根据权利要求13所述的电子器件，其中，所述阻气膜用作背面保 护片。

15.根据权利要求12所述的电子器件，其中，所述电子器件为图像显 示元件。