[发明专利]反射型光掩模及反射型光掩模基板有效
| 申请号： | 201080014323.6 | 申请日： | 2010-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102369588A | 公开（公告）日： | 2012-03-07 |
| 发明（设计）人： | 松尾正 | 申请（专利权）人： | 凸版印刷株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/24 | 分类号： | G03F1/24;G03F1/60 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂宁乐;浦柏明 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反射 型光掩模 型光掩模基板 | ||
1.一种反射型光掩模，用于通过反射EUV光来将反射光照射到转印用样本上，其特征在于，
该反射型光掩模具有：
基板，
高反射部，其形成在所述基板上，
低反射部，其形成在所述高反射部之上，且被刻画了图案；
被刻画了图案的所述低反射部至少层叠有一层以上；
被刻画了图案的所述低反射部的至少一层是含有Sn和氧的层。
2.根据权利要求1记载的反射型光掩模，其特征在于，含有Sn和氧的所述层是非晶态的物质即非晶体。
3.根据权利要求2记载的反射型光掩模，其特征在于，在含有Sn和氧的所述层中，氧相对于Sn的原子数比O/Sn在1.0以上1.5以下。
4.根据权利要求1至3中的任一项记载的反射型光掩模，其特征在于，被刻画了图案的所述低反射部的膜厚在25nm以上45nm以下。
5.根据权利要求1至4中的任一项记载的反射型光掩模，其特征在于，来自被刻画了图案的所述低反射部的反射光与来自所述高反射部的反射光之间的相位差为175度～185度。
6.根据权利要求5记载的反射型光掩模，其特征在于，
被刻画了图案的所述低反射部至少层叠有二层以上；
被刻画了图案的所述低反射部的至少一层是含有Sn和氧的层；
被刻画了图案的所述低反射部的至少一层是含有Ru的层。
7.根据权利要求6记载的反射型光掩模，其特征在于，所述含有Ru的层是含有Ru和氧的层。
8.根据权利要求1至7中的任一项记载的反射型光掩模，其特征在于，被刻画了图案的所述低反射部对波长为190nm到260nm的紫外线的反射率在15％以下。
9.根据权利要求8记载的反射型光掩模，其特征在于，被刻画了图案的所述低反射部的最上层为所述含有Sn和氧的层。
10.根据权利要求8记载的反射型光掩模，其特征在于，被刻画了图案的所述低反射部的最上层为含有Si和氮的层。
11.根据权利要求8记载的反射型光掩模，其特征在于，被刻画了图案的所述低反射部的最上层为含有Si和氧的层。
12.一种反射型光掩模基板，用于形成反射型光掩模，其特征在于，
该反射型光掩模基板具有：
基板，
高反射部层，其形成在所述基板上，
低反射部层，其层叠在所述高反射部层之上；
所述低反射部层至少层叠有一层以上，
所述低反射部层的至少一层是含有Sn和氧的层。
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