[发明专利]蓄电器件用电极及其制造方法

权利要求书

1.一种蓄电器件用电极，其特征在于，

具备多孔质层，该多孔质层具有含钨氧化物的纤维和晶须中的至少一种，

上述纤维和晶须的通过X射线光电子能谱分析得到的价带光电子能谱在距上述钨氧化物的费米能级1eV以内具有峰。

2.根据权利要求1所述的蓄电器件用电极，其特征在于，

上述纤维和晶须的通过X射线光电子能谱分析得到的价带光电子能谱的上述峰在上述钨氧化物的费米能级之前开始上升，并且，上述1eV以内的峰的强度与5eV～10eV范围内的峰的强度之比为1/20以上。

3.根据权利要求1或2所述的蓄电器件用电极，其特征在于，

上述纤维和晶须的通过X射线光电子能谱分析得到的W4f光电子能谱在33eV～34eV范围内以及35eV～36eV范围内都具有峰。

4.根据权利要求3所述的蓄电器件用电极，其特征在于，

上述33eV～34eV范围内的峰在34eV处的强度与上述35eV～36eV范围内的峰在36eV处的强度之比为1/20以上。

5.根据权利要求4所述的蓄电器件用电极，其特征在于，

上述33eV～34eV范围内的峰在34eV处的强度与上述35eV～36eV范围内的峰在36eV处的强度之比为1/10以上。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的蓄电器件用电极，其特征在于，

对上述纤维和晶须的通过可见光分光分析得到的反射能谱进行Kubelka-Munk变换而得到的能谱在500nm～600nm范围内具有最大峰。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的蓄电器件用电极，其特征在于，

在使用Doniach-Sunjic公式对上述纤维和晶须的通过X射线光电子能谱分析得到的525eV～535eV范围内的峰进行最小二乘近似时，非对称指数α为0.07以上。

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的蓄电器件用电极，其特征在于，

上述纤维和晶须的通过X射线光电子能谱分析得到的525eV～535eV范围内的峰的峰下1/4值宽度为2.5eV～4.0eV。

9.根据权利要求1至8中的任一项所述的蓄电器件用电极，其特征在于，

上述多孔质层形成在含钨的金属或者陶瓷基材上。

10.根据权利要求1至8中的任一项所述的蓄电器件用电极，其特征在于，

上述多孔质层形成在表面具备金属层的基材上，该金属层含有上述晶须或者纤维的构成金属。

11.一种蓄电器件，其特征在于，具备权利要求1至10中的任一项所述的蓄电器件用电极以及电解质。

12.根据权利要求11所述的蓄电器件，其特征在于，

上述电解质为非水系电解液。

13.根据权利要求11所述的蓄电器件，其特征在于，

上述电解质为固体或者凝胶状体。

14.一种权利要求1至10中的任一项所述的蓄电器件用电极的制造方法，其特征在于，具有以下步骤：

在存在微量氧的条件下对含有金属的原料或者基材原料进行加热处理来形成上述纤维和晶须中的至少一种，其中，该金属是含钨氧化物的纤维和晶须的构成金属。