[发明专利]驻极体的制造方法及静电感应型转换元件有效

专利信息
申请号: 201080007019.9 申请日: 2010-02-10
公开(公告)号: CN102308351A 公开(公告)日: 2012-01-04
发明(设计)人: 柏木王明 申请(专利权)人: 旭硝子株式会社
主分类号: H01G7/02 分类号: H01G7/02;H04R19/01;H04R19/04;H04R31/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 胡烨
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 驻极体 制造 方法 静电感应 转换 元件
【权利要求书】:

1.驻极体的制造方法,其特征在于,包括对含有含氟聚合物和硅烷偶联剂的组合物进行热处理的工序,所述含氟聚合物除了在主链具有脂肪族环结构以外还具有羧基或烷氧基羰基作为末端基团,所述硅烷偶联剂具有氨基,所述含氟聚合物的重均分子量为20万以上。

2.如权利要求1所述的驻极体的制造方法,其特征在于,所述含氟聚合物的主链具有作为所述脂肪族环结构的含氟脂肪族环结构。

3.如权利要求1或2所述的驻极体的制造方法,其特征在于,所述含氟聚合物的主链具有作为所述脂肪族环结构的含醚性氧原子的环结构。

4.如权利要求1~3中任一项所述的驻极体的制造方法,其特征在于,所述含氟聚合物的主链具有作为所述脂肪族环结构的含醚性氧原子的含氟脂肪族环结构。

5.如权利要求1~4中任一项所述的驻极体的制造方法,其特征在于,所述硅烷偶联剂为选自γ-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-(β-氨基乙基)-γ-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-(β-氨基乙基)-γ-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-(β-氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-(β-氨基乙基)-γ-氨基丙基三乙氧基硅烷及氨基苯基三甲氧基硅烷的1种以上。

6.如权利要求1~5中任一项所述的驻极体的制造方法,其特征在于,所述硅烷偶联剂的含量相对于所述含氟聚合物和硅烷偶联剂的总量为0.1~20质量%。

7.如权利要求1~6中任一项所述的驻极体的制造方法,其特征在于,依次包括以下的(1)~(4)的工序:

(1)将所述含氟聚合物和所述硅烷偶联剂溶解于溶剂中而获得涂液的涂液调制工序,

(2)将所述涂液涂于基板,形成含有所述含氟聚合物和所述硅烷偶联剂的涂层的涂布工序,

(3)对所述涂层进行热处理而获得涂膜的热处理工序,

(4)向所述热处理后的涂膜注入电荷的电荷注入工序。

8.如权利要求7所述的驻极体的制造方法,其特征在于,所述溶剂为含氟有机溶剂。

9.静电感应型转换元件,其特征在于,具备由权利要求1~8中任一项所述的制造方法获得的驻极体。

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