[发明专利]光学成像设备及制造该光学成像设备的方法无效
申请号: | 201080006564.6 | 申请日: | 2010-02-03 |
公开(公告)号: | CN102356463A | 公开(公告)日: | 2012-02-15 |
发明(设计)人: | 摩西·克里曼;威廉·哈德森·韦尔奇;贾尔斯·汉普斯通;奥舍·阿夫斯安;费利克斯·哈扎诺维奇;叶卡捷琳娜·阿克塞尔罗德 | 申请(专利权)人: | 数字光学(东部)公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 陆弋;王伟 |
地址: | 美国北卡*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 成像 设备 制造 方法 | ||
1.一种光学成像设备,包括:
第一光学组件,所述第一光学组件包括辐射透射衬底和隔离物,
所述辐射透射衬底包括至少一个光学表面;以及,
传感器组件,所述传感器组件包括隔离物和至少一个感测元件,其中,所述第一光学组件的隔离物联接到所述传感器组件的隔离物。
2.根据权利要求1所述的光学成像设备,其中,所述辐射透射衬底包括多个光学表面。
3.根据权利要求1所述的光学成像设备,其中,所述第一光学组件的隔离物是光学组件隔离物晶片的单分部分。
4.根据权利要求3所述的光学成像设备,其中,所述传感器组件的隔离物是传感器组件隔离物晶片的单分部分。
5.根据权利要求1所述的光学成像设备,其中,所述第一光学组件的隔离物包括凹陷,包括所述至少一个光学表面的所述辐射透射衬底安置在所述凹陷中。
6.根据权利要求5所述的光学成像设备,其中,在所述凹陷的凸缘与包括所述至少一个光学表面的所述辐射透射衬底之间布置有聚焦隔离物。
7.根据权利要求5所述的光学成像设备,其中,所述第一光学组件的隔离物部分地限制通过所述光学组件的电磁辐射量。
8.根据权利要求1所述的光学成像设备,其中,所述第一光学组件的隔离物由可用于吸收通过所述第一光学组件的一种或多种波长的电磁辐射的材料构成。
9.根据权利要求1所述的光学成像设备,其中,所述传感器组件的隔离物包括彼此联接的两种或更多种材料的复合构造。
10.根据权利要求9所述的光学成像设备,其中,所述两种或更多种材料选自由焊接掩模、绝缘材料和硅材料构成的组。
11.根据权利要求1所述的光学成像设备,其中,所述至少一个感测元件是感测元件晶片的单分部分。
12.根据权利要求1所述的光学成像设备,进一步包括联接到所述传感器组件的所述至少一个感测元件的电路。
13.根据权利要求1所述的光学成像设备,其中,与传感器组件隔离物的高度相结合的第一光学组件隔离物的高度将所述至少一个光学表面的焦点设定在所述感测元件的平面处或所述平面附近。
14.根据权利要求1所述的光学成像设备,进一步包括至少一个另外的光学组件,所述至少一个另外的光学组件包括另外的辐射透射衬底和另外的隔离物,所述另外的辐射透射衬底包括至少一个另外的光学表面。
15.一种光学成像设备,包括:
光学组件,所述光学组件包括联接到隔离物的多个光学元件;以及
传感器组件,所述传感器组件包括隔离物和至少一个感测元件,其中,所述光学组件的隔离物联接到所述传感器组件的隔离物。
16.根据权利要求15所述的光学成像设备,其中,所述光学组件的隔离物包括至少一个凹陷,所述光学元件中的一个至少部分地布置在所述至少一个凹陷中。
17.根据权利要求15所述的光学成像设备,其中,所述光学组件的隔离物包括多个凹陷,所述光学元件至少部分地布置在所述多个凹陷中。
18.根据权利要求15所述的光学成像设备,其中,所述多个光学元件以堆叠的构造布置。
19.根据权利要求15所述的光学成像设备,其中,所述光学组件的隔离物是光学组件隔离物晶片的单分部分。
20.根据权利要求15所述的光学成像设备,其中,所述传感器组件的隔离物是传感器组件隔离物晶片的单分部分。
21.根据权利要求15所述的光学成像设备,其中,所述至少一个感测元件是感测元件晶片的单分部分。
22.一种制造多个单独的光学成像设备的方法,包括:
提供包括多个光学组件的晶片,所述光学组件包括隔离物和辐射透射衬底,所述辐射透射衬底具有至少一个光学表面;
提供传感器晶片,所述传感器晶片包括多个传感器组件,所述传感器组件包括感测元件和隔离物;
将所述光学组件的隔离物联接到所述传感器组件的隔离物,以提供多个结合的光学成像设备;以及
对所述结合的光学成像设备进行单分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的