[发明专利]用于监测电子束强度的方法和装置有效
| 申请号： | 201080004718.8 | 申请日： | 2010-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN102282642A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | G·凯尔;A·蒙策尔 | 申请（专利权）人： | KHS有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J37/244 | 分类号： | H01J37/244;H01J37/304;H01J33/02;B65B55/08;A61L2/08 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王琼 |
| 地址： | 德国多*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 监测 电子束 强度 方法 装置 | ||
1.用于监测电子束强度的方法，其特征在于，探测和评估由电子束直接或间接产生的电子辐射或者电磁辐射，以便探测所述电子束强度的变化。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，评估电磁紫外线辐射或者电磁光辐射。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，评估电子辐射。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的方法，其特征在于，在所述电子束在空气、氮气或者氩气中传播期间，评估所述辐射。
5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的方法，其特征在于，所述电子束用于包装材料表面区域中的杀菌。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，减少容器表面区域的细菌数。
7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的方法，其特征在于，通过半导体传感器探测由所述电子束产生的辐射。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，辐射敏感二极管或光敏二极管用作半导体传感器。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，CCD芯片或者CMOS芯片或者光电二极管或者光电晶体三极管或者光敏电阻器用作半导体传感器。
10.根据前述权利要求中的任意一项所述的方法，其特征在于，在所述电磁辐射到达所述半导体传感器之前，所述电磁辐射已经经过光谱过滤器或者滤色器。
11.根据前述权利要求中的任意一项所述的方法，其特征在于，在中空体的内部发生由所述半导体传感器接收的辐射。
12.用于监测电子束强度的装置，其特征在于，所述装置构造成用于测量所述电子束直接或间接产生的电子辐射或者电磁辐射的一种探测器，并且所述探测器与用于探测所述电子束产生的电子辐射或电磁辐射的强度变化的评估器相连接。
13.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，所述探测器构造成捕获电磁紫外线辐射或电磁光辐射。
14.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，所述探测器构造成捕获电子辐射。
15.根据权利要求12至14中的任意一项所述的装置，其特征在于，所述探测器配置在电子束的传播路径的区域中，所述传播路径穿过周围空气。
16.根据权利要求12至14中的任意一项所述的装置，其特征在于，所述探测器配置在所述电子束的传播路径的区域中，所述传播路径穿过氮气或氩气。
17.根据权利要求12至16中的任意一项所述的装置，其特征在于，所述探测器构造成用于包装材料表面区域中杀菌的装置的一部分。
18.根据权利要求12至16中的任意一项所述的装置，其特征在于，所述探测器构造成用于容器表面区域中杀菌的装置的一部分。
19.根据权利要求12至18中的任意一项所述的装置，其特征在于，所述探测器构造成半导体传感器。
20.根据权利要求19所述的装置，其特征在于，所述半导体传感器构造成辐射敏感二极管或光敏二极管。
21.根据权利要求19所述的装置，其特征在于，所述半导体传感器构造成CCD芯片或CMOS芯片或光电二极管或光电晶体三极管或光敏电阻器。
22.根据前述权利要求中的任意一项所述的装置，其特征在于，所述半导体传感器配制成，使得所述半导体传感器能够接收在包装材料体内部发生的电磁辐射。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于KHS有限责任公司，未经KHS有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080004718.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
