[实用新型]交直流大电流电子开关有效

专利信息
申请号: 201020692650.4 申请日: 2010-12-31
公开(公告)号: CN201910777U 公开(公告)日: 2011-07-27
发明(设计)人: 史艳军;张双林;刘付军;秦勇;刘贺祥;张旭;阴晓勇;王玉山 申请(专利权)人: 沈阳新松机器人自动化股份有限公司
主分类号: H03K17/08 分类号: H03K17/08
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 李晓光
地址: 110168 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 直流 电流 电子 开关
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种电子开关,具体的说是一种交直流大电流电子开关。

背景技术

目前,在低压电器行业产品延时特性的出厂检测中,经常采用串联检测的方法,串联检测可以实现一台恒流源同时检测多个产品,并且不影响生产效率,同时也节约了设备成本。这种串联检测方法的关键点有两个,一是串联的多个产品中的一个分断时,必须有一个与其相并联的开关在尽可能短的时间内将回路马上重新导通,从而保证通过其他未分断产品的检测电流不变;二是当更换上一件新的待测产品时,前面导通的开关又必须马上断开,从而保证检测过程的正常进行。

为了实现这两点,原来常用的是交直流接触器或者固态继电器。交直流接触器的缺点是动作时间慢(一般动作时间在100ms左右),并且其机械触点有相对有限的使用寿命。100ms的动作时间将导致电流有100ms的中断,从而影响了产品检测的准确性;另外,由于其作用是切换电流回路的,因此动作一般比较频繁,每检测一件产品就需要切换一次,因而交直流接触器机械触点的使用寿命将导致接触器需要定期更换,从而给设备维护带来的不少的麻烦。对于固态继电器,虽然克服了交直流接触器的不足,但是又带来了导通压降大的缺点,导通压降大就说明需要更大的系统功率才能保证所期望的目标电流,甚至于降落在固态继电器上的电压可能是降落在待检测产品上电压的几倍或十几倍,这就极大的加大了系统的损耗,不利于节能降耗。

实用新型内容

针对现有技术中用作交直流开关的固态继电器存在导通压降大的不足之处,本实用新型要解决的技术问题是提供一种具有高响应速度和低导通压降的交直流大电流电子开关。

为解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案是:

本实用新型一种交直流大电流电子开关,其特征在于:具有MOSFET器件,保护器件以及控制接口,其中:MOSFET器件由多组反向串联的MOSFET并联而成,保护器件并联连接于MOSFET的两端,MOSFET器件与控制接口相连。

所述MOSFET器件通过偶数个配置、两两一组结构的MOSFET组成,每两个MOSFET反向串联组成一个电流通路,多组串联的MOSFET组合又并联连接成主电流通路。

所述保护器件采用瞬态二极管。

所述MOSFET器件和保护器件器件固接在铝基板上。

多个交直流大电流电子开关并联形成导通、关断的电流更大的交直流大电流电子开关组。

本实用新型具有以下有益效果及优点:

1.本实用新型采用MOSFET器件SMBJ16CA作为基本的开关元件,可高速导通、关断电流回路;

2.本实用新型采用MOSFET器件SMBJ16CA作为基本的开关元件,可实现低压降导通,从而降低了系统功耗;

3.本实用新型采用MOSFET器件SMBJ16CA作为基本的开关元件,因而无机械触点,从而没有因机械动作而导致的机械寿命问题;

4.本实用新型系统结构简单,成本低,实现容易,维护方便,故障少。

附图说明

图1为本实用新型的电气原理图;

图2大电流电子开关应用图。

具体实施方式

下面参见附图和实施例对本实用新型作进一步详细说明。

本实用新型交直流大电流电子开关如图1所示,具有MOSFET器件,保护器件以及控制接口,其中:MOSFET器件由多组反向串联的MOSFET并联而成,保护器件并联连接于MOSFET的两端,MOSFET器件与控制接口相连。

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