[实用新型]一种调节装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体工艺，尤其涉及一种用于调节化学气相沉积反应腔中喷管到电子吸盘的垂直距离的调节装置。

背景技术

在半导体领域中，反应腔是常用的设备，可用于化学气相沉淀、物理气相沉淀、以及刻蚀等工艺过程。晶圆在反应腔中进行沉积、生长薄膜等过程，对于晶圆来说，均匀性是晶圆质量的主要因素，也是产品质量的重要因素，而温度的一致性对晶圆表面薄膜均匀性有重要的影响。

图1为现有技术中所述化学气相沉积反应腔的俯视图，参考图1，其中反应腔的腔壁101’上设置有若干喷管103’，喷管103’固定在腔壁101’上，喷管103’的头部位于电子吸盘105’的顶部。在化学气相沉积过程中，晶圆固定在电子吸盘105’的顶部，喷管103’喷出相应物质在晶圆表面沉积或生长薄膜。所述喷管103’均匀固定在腔壁101’上，且两两相对，如图1所示所述喷管103’可以为八个，均匀分布且两两相对，所述喷管103’的材质为石英，所述石英具有良好的耐热能力且不会吸附化学气象沉积中喷出的离子。所述喷管103’与腔壁101’中的铝制管道(图中未标示出)相连，由于所述铝制管道已固定安装好，故喷管103’的倾角固定不变，但所述喷管103’伸出的长度不同，为使化学气相沉积过程中晶圆沉积、生长的薄膜具有良好的均匀性，要求每个喷管103’的顶端到电子吸盘105’的垂直距离要相等，尤其是位置相对的喷管103’的高度相等。而现有技术只能通过目测所述喷管的高度或用直尺直接测量喷管103’到电子吸盘105’的高度进行调节，所述目测的调节方法非常不准确，采用直尺直接测量的调节方法同样会出现测量距离不垂直导致测量不准确。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是，提供一种能够准确调节化学气相沉积反应腔中喷管到电子吸盘的垂直距离的装置。

为解决上述问题，本实用新型提供一种调节装置，用于调节化学气相沉积反应腔中喷管到电子吸盘的垂直距离，所述调节装置包括底座和斜台，所述底座的高度大于所述喷管最低点到电子吸盘表面的垂直距离，所述斜台的底面紧贴所述底座的顶面，所述斜台的斜面与底面的夹角等于所述喷管与水平面的夹角，所述斜面上设置有刻度值。

进一步的，所述底座与所述斜台为一体成型。

可选的，所述底座为长方体。

可选的，所述底座为长方体，所述底座的底面长度大于所述电子吸盘边缘与所述反应腔内壁的距离。

可选的，所述底座为圆柱体。

可选的，所述底座为圆柱体，所述底座的底面直径大于所述电子吸盘边缘与所述反应腔内壁的距离。

较佳的，所述调节装置的材质为可塑性材料。

可选的，所述调节装置的材质为金属、塑料或木质。

综上所述，本实用新型中所述调节装置能够准确调节化学气相沉积反应腔中喷管到电子吸盘的垂直距离，并且所述调节装置结构简单，便于制作。

附图说明

图1为现有技术中所述化学气相沉积反应腔的俯视图。

图2为现有技术中所述化学气相沉积反应腔的剖视图。

图3为本实用新型测量装置一实施例的结构示意图。

图4为本实用新型测量装置另一实施例的结构示意图。

图5为本实用新型测量装置使用方法一实施例的示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本实用新型的内容作进一步说明。当然本实用新型并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本实用新型的保护范围内。

其次，本实用新型利用示意图进行了详细的表述，在详述本实用新型实例时，为了便于说明，示意图不依照一般比例局部放大，不应以此作为对本实用新型的限定。

本实用新型的核心思想是：由于所述化学气相沉积反应腔中喷管的倾角固定不变，故调整所述喷管伸出所述反应腔腔壁的长度相同，即可使所述喷管高度相同，故设计一种可以调节所述喷管伸出所述反应腔腔壁的长度的调节装置，所述调节装置设有斜台，所述斜台的斜面与底面的夹角等于所述喷管与水平面的夹角，所述斜台上设置有刻度，将所述斜台紧靠在所述喷管上，调整所述喷管的长度，从而使所述喷管到所述电子吸盘的垂直距离相同，从而在化学气相沉积过程中能够在晶圆表面均匀淀积、生长薄膜。