[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201020253565.8 | 申请日： | 2010-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN201829505U | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 范爱民 | 申请（专利权）人： | 西安能讯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;刘瑞东 |
| 地址： | 710075 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
在衬底上的半导体层；
在上述半导体层上的隔离层；
在上述隔离层上的n型掺杂层；
与上述半导体层电气相通的源极和漏极；以及
在上述隔离层上的与上述n型掺杂层分离的栅极。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括在上述栅极和上述n型掺杂层之间的钝化层。
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，上述n型掺杂层与上述源极和漏极接触。
4.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，上述栅极包括场板结构。
5.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，还包括浮栅结构。
6.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，还包括在上述栅极和上述隔离层之间的介质层。
7.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，上述半导体层、上述隔离层和上述n型掺杂层包括III族氮化物半导体层，其中III价原子包括铟、铝或镓。
8.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，上述隔离层包括AlN层或AlGaN层。
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