[实用新型]晶片清洗设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及晶片清洗，尤其是涉及一种晶片清洗设备、特别是用于太阳能硅片的清洗设备。

背景技术

传统的硅片清洗机在清洗室和烘干室之间直接气体连通，硅片清洗之后被放到传输部上运输入烘干室中。由于烘干室的进料口处非完全密封，大量的气体将很容易从清洗室进入烘干室中，这时，含有大量清洗用化学品的气体将会造成已清洗完成的硅片表面的污染，导致清洗不完全。另外，由于烘干室的出料口处也非密封，因此，外部空气也很容易进入烘干室中污染硅片表面。

实用新型内容

有鉴于此，需要提供一种晶片清洗设备，该晶片清洗设备可以降低清洗室和外部空气对后续干燥过程中对晶片造成的污染。

根据本实用新型的实施例的晶片清洗设备，包括：清洗室；烘干室，所述烘干室与所述清洗室相邻设置；以及传输部，所述传输部贯穿所述烘干室而设置，用于将待清洗晶片从清洗室传输至烘干室，其中所述烘干室进一步包括：用于运入和运出所述待清洗晶片的进料口和出料口，所述传输部通过进料口；至少一个进风口，所述进风口设置在所述传输部的上方；与所述进风口相对应的至少一个加热器，用于加热供给的气体；设置在所述传输部与进风口的相对一侧的抽风口，用于排出烘干室内的气体；和第一气体导流件，所述第一气体导流件设置在贯穿所述烘干室的传输部的上游处且位于抽风口的一侧、与所述传输部相邻，用于阻止来自清洗室的气流从贯穿所述烘干室的传输部的上游处流入烘干室。

根据本实用新型的晶片清洗设备，不但可以避免清洗室中含有大量清洗用化学用品的气体进入烘干室中而降低对后续干燥过程中对晶片造成的污染，还可以降低外部空气在后续干燥过程中对晶片造成的污染，清洗效果好，设备结构简单。

根据本实用新型的实施例的晶片清洗设备还具有如下附加特征：

所述烘干室进一步包括：至少一个与所述加热器相对设置的过滤器，用于过滤被加热的气体。

在本实用新型的一种实施方式中，所述第一气体导流件中的设置方向平行于所述传输部的传输方向。烘干室中的被加热的气体形成的热风由于第一气体导流件的阻挡作用在传输部的上游部分形成了一个封闭空间，阻断气流完全流向抽风口，以便于形成了流向清洗室的气流，从而阻止气流从清洗室流向烘干室。

在本实用新型的另一种实施方式中，所述第一气体导流件靠近上游的一端与所述传输部的距离不小于所述第一气体导流件远离上游的另外一端与所述传输部的距离。这样，被加热的气体在上游部分的上方向下运动到倾斜的第一气体导流件上时，由于反射作用而被第一气体导流件反射到进料口处从而形成了流向清洗室的气流，使得在传输部的上游部分更为有效地阻止气流从清洗室流向烘干室，防止从清洗室流出的空气对待烘干的晶片的表面产生玷污。

在本实用新型的另一种实施方式中，所述第一气体导流件与传输部之间的夹角为5-30度或者10-60度。

所述烘干室进一步包括：第二气体导流件，所述第二气体导流件设置在贯穿所述烘干室的传输部的上游处且在竖直方向上位于抽风口的一侧，所述第二气流导流件垂直于所述传输部的传输方向。第二气体导流件的设置，也是为形成从烘干室流向清洗室的气流，从而达到阻止清洗室流入烘干室的气流，防止清洗室中的脏气流进入烘干室带来对晶片表面的玷污。

所述烘干室进一步包括：第三气体导流件，所述第三气体导流件设置在贯穿所述烘干室的传输部的下游处且竖直方向上位于抽风口的一侧、与所述传输部相邻，用于阻止烘干室外部的气流从贯穿所述烘干室的传输部的下游处流入烘干室。这样，烘干室中的被加热的气体形成的热风由于第三气体导流件的阻挡作用在传输部的下游部分形成了一个封闭空间，阻断气流完全流向抽风口，以便于形成了流向出料口的气流，从而可阻止气流从外部流向烘干室进而玷污烘干室中的待烘干晶片。

所述第三气体导流件中的设置方向平行于所述传输部的传输方向。

所述第三气体导流件靠近下游的一端与所述传输部的距离不小于所述第三气体导流件远离下游的另外一端与所述传输部的距离。这样，被加热的气体在下游部分的上方向下运动到倾斜的第三气体导流件上时，由于反射作用而被第三气体导流件反射到出料口处从而形成了流出烘干室的气流，使得在传输部的下游部分更为有效地阻止气流从外部流入烘干室，防止从外界空气对待烘干的晶片的表面产生玷污。

在本实用新型的另一种实施方式中，所述第三气体导流件与传输部之间的夹角为5-30度或者10-60度。