[实用新型]晶片清洗设备无效
申请号: | 201020236590.5 | 申请日: | 2010-06-17 |
公开(公告)号: | CN201699041U | 公开(公告)日: | 2011-01-05 |
发明(设计)人: | 王敬;翟志华 | 申请(专利权)人: | 王敬;江西旭阳雷迪高科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 黄德海 |
地址: | 100084 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 清洗 设备 | ||
1.一种晶片清洗设备,其特征在于,包括:
清洗室;
烘干室,所述烘干室与所述清洗室相邻设置;以及
传输部,所述传输部贯穿所述烘干室而设置,用于将待清洗晶片从清洗室传输至烘干室,其中
所述烘干室进一步包括:
用于运入和运出所述待清洗晶片的进料口和出料口,所述传输部通过进料口;
至少一个进风口,所述进风口设置在所述传输部的上方;
与所述进风口相对应的至少一个加热器,用于加热供给的气体;
设置在所述传输部与进风口的相对一侧的抽风口,用于排出烘干室内的气体;和
第一气体导流件,所述第一气体导流件设置在贯穿所述烘干室的传输部的上游处且位于抽风口的一侧、与所述传输部相邻,用于阻止来自清洗室的气流从贯穿所述烘干室的传输部的上游处流入烘干室。
2.根据权利要求1所述的晶片清洗设备,其特征在于,所述烘干室进一步包括:
至少一个与所述加热器相对设置的过滤器,用于过滤被加热的气体。
3.根据权利要求1所述的晶片清洗设备,其特征在于,所述第一气体导流件靠近上游的一端与所述传输部的距离不小于所述第一气体导流件远离上游的另外一端与所述传输部的距离。
4.根据权利要求1或3所述的晶片清洗设备,其特征在于,所述烘干室进一步包括:
第二气体导流件,所述第二气体导流件设置在贯穿所述烘干室的传输部的上游处且在竖直方向上位于抽风口的一侧,所述第二气流导流件垂直于所述传输部的传输方向。
5.根据权利要求1或3所述的晶片清洗设备,其特征在于,所述烘干室进一步包括:
第三气体导流件,所述第三气体导流件设置在贯穿所述烘干室的传输部的下游处且竖直方向上位于抽风口的一侧、与所述传输部相邻,用于阻止烘干室外部的气流从贯穿所述烘干室的传输部的下游处流入烘干室。
6.根据权利要求5所述的晶片清洗设备,其特征在于,所述第三气体导流件靠近下游的一端与所述传输部的距离不小于所述第三气体导流件远离下游的另外一端与所述传输部的距离。
7.根据权利要求1或3所述的晶片清洗设备,其特征在于,所述烘干室进一步包括:
第四气体导流件,所述第四气体导流件设置在贯穿所述烘干室的传输部的下游处且位于抽风口的一侧,且所述第四气体导流件中的设置方向垂直于所述传输部的传输方向。
8.根据权利要求1所述的晶片清洗设备,其特征在于,所述第一气体导流件中的设置方向垂直于所述传输部的传输方向。
9.根据权利要求1所述的晶片清洗设备,其特征在于,贯穿所述烘干室的传输部的上游处的上方设置有进风口。
10.根据权利要求1所述的晶片清洗设备,其特征在于,贯穿所述烘干室的传输部的上游处的上方设置有加热器。
11.根据权利要求1所述的晶片清洗设备,其特征在于,贯穿所述烘干室的传输部的下游处的上方设置有进风口。
12.根据权利要求1所述的晶片清洗设备,其特征在于,贯穿所述烘干室的传输部的下游处的上方设置有加热器。
13.根据权利要求1所述的晶片清洗设备,其特征在于,所述烘干室设有3-4个进风口,分别设置在所述烘干室的顶部或者侧上方。
14.根据权利要求1所述的晶片清洗设备,其特征在于,所述抽风口处设置有抽风机,所述抽风机用于将抽送的气体返回到所述进风口处。
15.根据权利要求1所述的晶片清洗设备,其特征在于,所述烘干室进一步设置有:
压缩气体供给口,用于向所述烘干室内供给压缩气体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的