[实用新型]置片架的改良结构有效
申请号: | 201020235943.X | 申请日: | 2010-06-24 |
公开(公告)号: | CN201838566U | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | 江枝茂;颜晖展 | 申请(专利权)人: | 中勤实业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L31/18 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 置片架 改良 结构 | ||
1.一种置片架的改良结构,其特征在于,包括:
两框片,其左、右侧上分别设有至少一第一熔接处,该第一熔接处上设有一熔接部,且该框片底侧上设有至少一第二熔接处,该第二熔接处上设有一熔接部;
至少一固定件,其两末端面熔接于各该框片的第一熔接处上,使各该固定件的两端连接固定于该两框片上;
至少一支撑件,其两末端面熔接于各该框片的第二熔接处上,使各该支撑件的两端连接固定于该两框片上,令各该固定件、各该支撑件与各该框片连接形成一容置空间,使各该基板安装于该容置空间中。
2.根据权利要求1所述的置片架的改良结构,其特征在于,各该固定件上形成有多个具有斜度且等间距平行设置的固定肋条。
3.根据权利要求1所述的置片架的改良结构,其特征在于,该多个框片、该多个固定件与该多个支撑件为可熔接的工程塑料材质,该工程塑料材质选自树脂、铁氟龙、复合材料、聚乙烯、聚丙烯及高分子聚乙烯其中之一。
4.根据权利要求1所述的置片架的改良结构,其特征在于,各该固定件的两末端面上进一步设有一熔接部,以凭借该固定件的熔接部与该两框片第一熔接处的熔接部相熔接,使各该固定件的两末端面熔接于各该框片的第一熔接处上。
5.根据权利要求1所述的置片架的改良结构,其特征在于,各该支撑件的两末端面上进一步设有一熔接部,以凭借该支撑件的熔接部与该两框片第二熔接处的熔接部相熔接,使各该支撑件的两末端面熔接于各该框片的第二熔接处上。
6.一种置片架的改良结构,其特征在于,包括:
两框片,其左、右侧上设有至少一第一熔接处,且该框片底侧上设有至少一第二熔接处;
至少一固定件,各该固定件的两末端面上设有一熔接部,各该固定件的两末端面熔接于各该框片的第一熔接处上,使各该固定件的两端连接固定于该两框片上;
至少一支撑件,各该支撑件的两末端面上设有一熔接部,各该支撑件的两末端面熔接于各该框片的第二熔接处上,使各该支撑件的两端连接固定于该二框片上,令各该固定件、各该支撑件与各该框片连接形成一容置空间,使各该基板安装于该容置空间中。
7.根据权利要求6所述的置片架的改良结构,其特征在于,各该固定件上形成有多个具有斜度且等间距平行设置的固定肋条。
8.根据权利要求6所述的置片架的改良结构,其特征在于,该多个框片、该多个固定件与该多个支撑件为可熔接的工程塑料材质,该工程塑料材质选自树脂、铁氟龙、复合材料、聚乙烯、一聚丙烯及高分子聚乙烯其中之一。
9.根据权利要求6所述的置片架的改良结构,其特征在于,各第一熔接处进一步设有一熔接部,以凭借各该固定件的熔接部与该第一熔接处的熔接部相熔接,使各该固定件的两末端面熔接于各该框片的第一熔接处上。
10.根据权利要求6所述的置片架的改良结构,其特征在于,各第二熔接处进一步设有一熔接部,以凭借各该支撑件的熔接部与该第二熔接处的熔接部相熔接,使各该支撑件的两末端面熔接于各该框片的第二熔接处上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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