[实用新型]硅晶片输送缓冲结构有效
申请号: | 201020234466.5 | 申请日: | 2010-06-23 |
公开(公告)号: | CN201751342U | 公开(公告)日: | 2011-02-23 |
发明(设计)人: | 沈汉明 | 申请(专利权)人: | 浙江百力达太阳能有限公司 |
主分类号: | B65G49/07 | 分类号: | B65G49/07;B65G47/74 |
代理公司: | 杭州金源通汇专利事务所(普通合伙) 33236 | 代理人: | 唐迅 |
地址: | 314512 浙江省嘉兴市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 输送 缓冲 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种硅晶片生产设备,特别是一种硅晶片输送缓冲结构。
背景技术
目前的硅晶片装片基本是通过人工装入篮具内,这样既容易对硅晶片造成人为污染,又增加工人的劳动强度,无法提高工作效率,为了使硅晶片的装片能够自动化进行,已有将硅晶片通过吸盘吸住再移动位置将其放入到输送带上,但是输送带是在连续运转的,这样在放置过程中很容易使硅晶片受到撞击,从而损坏硅晶片。
发明内容
本实用新型的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种在自动将硅晶片放置到在运转的输送带上时,不会对硅晶片产生撞击,能平稳放置并安全输送的硅晶片输送缓冲结构。
为了达到上述目的,本实用新型所设计的一种硅晶片输送缓冲结构,它包括输送带,其特征是在输送带的下方设有底板,在底板下固定连接有气缸,气缸固定在底座上,在底板上处于输送带的两侧设有缓冲垫。
实用新型所得到的一种硅晶片输送缓冲结构,使用时,气缸提升,使输送带的水平面处在缓冲垫的下方,硅晶片移动后放置在缓冲垫上,然后气缸下降带动缓冲垫下降,使已在缓冲垫上的硅晶片过渡到输送带上,由此实现了将硅晶片平稳放置并安全过渡到输送带上的目的,并且防止了硅晶片可能受到的撞击,提高了硅晶片的合格率,安全的自动化生产。
附图说明
图1是本实用新型实施例1的硅晶片放置在缓冲垫上的状态结构示意图;
图2是硅晶片过渡到输送带上的状态结构示意图。
其中:缓冲垫1、输送带2、底板3、气缸4、底座5、硅晶片6。
具体实施方式
下面通过实施例结合附图对本实用新型作进一步的描述。
实施例:
如图1所示,本实施例描述的一种硅晶片输送缓冲结构,它包括输送带2,在 输送带2的下方设有底板3,在底板3下固定连接有气缸4,气缸4固定在底座5上,在底板3上处于输送带2的两侧设有缓冲垫1。使用时,气缸4首先处于提升状态,使输送带2的水平面处在缓冲垫1的下方,硅晶片6移动后放置在缓冲垫1上,然后气缸4下降带动缓冲垫1下降,如图2所示,使已在缓冲垫1上的硅晶片6过渡到输送带2上,由此实现了将硅晶片6平稳放置并安全过渡到输送带2上的目的。
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