[实用新型]硅晶片输送缓冲结构有效
| 申请号： | 201020234466.5 | 申请日： | 2010-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN201751342U | 公开（公告）日： | 2011-02-23 |
| 发明（设计）人： | 沈汉明 | 申请（专利权）人： | 浙江百力达太阳能有限公司 |
| 主分类号： | B65G49/07 | 分类号： | B65G49/07;B65G47/74 |
| 代理公司： | 杭州金源通汇专利事务所(普通合伙) 33236 | 代理人： | 唐迅 |
| 地址： | 314512 浙江省嘉兴市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 输送 缓冲 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅晶片输送缓冲结构，它包括输送带(2)，其特征是在输送带(2)的下方设有底板(3)，在底板(3)下固定连接有气缸(4)，气缸(4)固定在底座(5)上，在底板(3)上处于输送带(2)的两侧设有缓冲垫(1)。
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