[实用新型]用于单面制绒的太阳能电池硅片

说明书

技术领域

本实用新型涉及晶体硅太阳能电池，尤其是一种用于单面制绒的太阳能电池硅片。

背景技术

传统的太阳能电池的制备工艺流程中第一步为清洗制绒，然后再进行后续的工艺，制绒的目的是降低电池表面对光的反射率，从而提高光的吸收率。其传统的制绒方法包括碱制绒、酸制绒，碱制绒和酸制绒方法为两面同时制绒，除此之外还有其他高效电池的特殊制绒方法，例如：RIE制绒，光刻制绒等，这些方法可以形成一面制绒，但成本相对较高。

碱制绒、酸制绒、RIE制绒，光刻制绒原理如下：

碱制绒：根据Si各个晶面腐蚀的速度不同，用碱溶液将硅片表面腐蚀出金字塔，硅片正反两面都形成金字塔，对光的发射率低；

酸制绒：用硝酸、氢氟酸按照一定的配比配成的溶液来腐蚀硅片表面，形成的绒面为不规则的凹坑，硅片两面同时形成这样的绒面，正面和反面的对光的反射率低；

RIE制绒：在硅片的受光面用反应离子体刻蚀，形成反射率低的绒面，这种方法可以一面制绒，但成本高，后续去损伤层难度较大；

光刻制绒：先在硅片表面生长一层厚度约为1um左右的氧化膜，再使用光刻的方法制绒，反射率低，成本高。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是：提供一种硅片用于太阳能电池的单面制绒生产。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种用于单面制绒的太阳能电池硅片，具有硅片，硅片的上表面为制绒层，硅片的下表面具有一层作为制绒阻挡层的氮化硅膜。

氮化硅膜的厚度为5nm-200nm。

本实用新型的有益效果是，使通过传统酸、碱制绒方法进行太阳能电池硅片的单面制绒成为可能，相对于RIE制绒和光刻制绒，节约了成本。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1是本实用新型的结构示意图。

图中：1.硅片，2.制绒层，3.氮化硅膜。

具体实施方式

如图1所示的用于单面制绒的太阳能电池硅片，具有硅片1，硅片1的上表面为制绒层2，硅片1的下表面具有一层作为制绒阻挡层的氮化硅膜3，氮化硅膜3的厚度为5nm-200nm。

将硅片1放入碱制溶液中，根据硅各个晶面腐蚀的速度不同，碱制溶液对硅片的表面进行腐蚀，硅片1的上表面腐蚀出金字塔形，由于在硅片1的下表面具有氮化硅膜3作为阻挡层，所以就形成了单面制绒的硅片。

将硅片1放入酸制溶液中，用硝酸、氢氟酸按照一定的配比配成溶液对硅片1的表面进行腐蚀，在硅片1的上表面形成不规则的凹坑，由于在硅片1的下表面具有氮化硅膜3作为阻挡层，所以就形成了单面制绒的硅片。

单面制绒后的硅片再经过常规扩散、去磷硅玻璃及刻边、印刷电极、烧结和电性能测试等步骤就可以形成成品。