[发明专利]光伏电池无效
| 申请号： | 201010625163.0 | 申请日： | 2010-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102136516A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | B·A·科尔瓦尔;L·察卡拉科斯;F·R·艾哈迈德 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L31/06 | 分类号： | H01L31/06;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 朱海煜;卢江 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电池 | ||
1.一种光伏(PV)电池(200)，其包括：
多个超微结构(202)，其电耦合于多晶光活性吸收层(204)并嵌入所述多晶光活性吸收层(204)内，其中所述多晶光活性吸收层(204)包括p型碲化镉(CdTe)。
2.如权利要求1所述的PV电池，进一步包括光学窗口电极(OWE)层(208)。
3.如权利要求2所述的PV电池，其中所述OWE层包括硫化镉。
4.如权利要求1所述的PV电池，其中所述多个超微结构(202)包括多个金属超微结构(240)，其中所述多个金属超微结构的至少一部分具有包括n型半导体的共形涂层(242)。
5.如权利要求1所述的PV电池，其中所述多个超微结构(202)包括n型材料。
6.如权利要求1所述的PV电池，其中所述光活性吸收层(204)具有高达大约10微米的厚度。
7.如权利要求1所述的PV电池，其中所述多个超微结构(202)的至少一部分的至少一个物理尺寸小于大约1微米。
8.如权利要求1所述的PV电池，其中所述多个超微结构(202)的至少一部分包括其中包含至少一个纳米线、或至少一个纳米管、或至少一个量子线、或至少一个量子点、或至少一个纳米墙、或它们的组合的结构。
9.一种光伏太阳能电池(200)，其包括：
光学窗口电极(OWE)层(208)；
包括n型半导体的多个超微结构(202)，其电耦合于多晶光活性吸收层(204)并嵌入所述多晶光活性吸收层(204)内以及大致上沿着所述多晶光活性吸收层(204)的厚度方向(224)，其中所述多晶光活性吸收层(204)包括p型碲化镉(CdTe)；以及
电极层，其包括p型半导体。
10.一种光伏(PV)电池(200)，其包括：
多个超微结构(202)，其电耦合于多晶光活性吸收层(204)并嵌入所述多晶光活性吸收层(204)内，其中所述多晶光活性吸收层(204)包括p型化合物半导体。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通用电气公司，未经通用电气公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010625163.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
