[发明专利]用于连续沉积薄膜层到基底上的模块系统和方法

权利要求书

1.一种用于汽相沉积薄膜层到光电(PV)模块基底(14)上的方法，包括：

以串接布置传送基底经过真空腔室(16)中的汽相沉积设备(22)，在其中，升华的源材料的薄膜沉积在所述基底的上表面上，所述基底以受控的恒定线速度传送经过所述汽相沉积设备，使得在传送方向上所述基底的前部区段和后部区段在所述汽相沉积设备内经受相同的汽相沉积条件；

当所述基底传送出所述汽相沉积设备时，对所述基底后加热，以便沿所述基底的长度维持大致均匀的温度，直到整个所述基底传送出所述汽相沉积设备；以及，

在所述后加热步骤之后冷却所述基底。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底(14)从所述汽相沉积设备(22)传送到后加热模块(32)中用于所述后加热步骤，以及所述方法还包括在所述后加热模块的整个纵向长度上维持大致恒定的温度轮廓。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基底(14)以第一传送速率传送经过所述汽相沉积设备(22)并进入所述后加热模块(32)中，并且以显著更大的第二传送速率从所述后加热模块传送进入下游的冷却区段(26)，所述第二传送速率对于防止沿所述基底的长度产生热梯度是有效的。

4.一种用于汽相沉积薄膜层到光电(PV)模块基底(14)上的方法，包括：

以串接布置传送基底经过真空腔室(16)中的汽相沉积设备(22)，在其中，升华的源材料的薄膜沉积在所述基底的上表面上，所述基底以受控的恒定线速度传送经过所述汽相沉积设备，使得在传送方向上所述基底的前部区段和后部区段在所述汽相沉积设备中经受相同的汽相沉积条件；

当所述基底以一定方式传送出所述汽相沉积设备时，对所述基底后加热，使得沿所述基底的长度产生受控的逐渐减小的温度梯度，直到整个所述基底传送出所述汽相沉积设备；以及，

在所述加热步骤之后冷却所述基底。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基底(14)从所述汽相沉积设备(22)传送进入到后加热模块(32)中用于所述后加热步骤，并进入冷却区段(26)中用于所述冷却步骤。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括沿所述后加热模块(32)的纵向长度维持减小的温度轮廓，其中，所述温度轮廓在其入口处具有从大约400摄氏度到大约600摄氏度的温度，以及在其出口处具有从大约200摄氏度到大约500摄氏度的温度。

7.一种用于在光电(PV)模块基底(14)上汽相沉积薄膜层的系统(10)，包括：

真空腔室(16)，所述真空腔室还包括汽相沉积设备(22)，所述汽相沉积设备(22)构造成用于将升华的源材料的薄膜沉积到经由其传送的基底的上表面上；

传送器系统(66)，其可操作地布置在所述真空腔室中并且构造成用于以串接布置在受控的恒定线速度下将所述基底传送经过所述汽相沉积设备；以及

后加热区段(18)，其布置在所述真空腔室中，在所述基底的传送方向上直接位于所述汽相沉积设备的下游，所述后加热区段构造成用以将传送自所述汽相沉积设备的所述基底维持在期望的加热温度轮廓，直到整个所述基底引出所述汽相沉积设备。

8.根据权利要求7所述的系统(10)，其特征在于，所述后加热区段(18)构造成用以加热所述基底使其具有一定的温度轮廓，以便沿所述基底的长度维持大致均匀的温度，直到整个所述基底传送出所述汽相沉积设备(22)。

9.根据权利要求8所述的系统(10)，其特征在于，所述系统还包括冷却区段(26)，所述冷却区段(26)在所述基底的传送方向上位于所述后加热区段(30)的下游，所述传送器系统(66)构造成用以按第一传送速率传送所述基底(14)经过所述汽相沉积设备(22)并进入所述后加热区段，以及按显著更大的第二传送速率将所述基底从所述后加热区段传送并进入所述冷却区段，所述第二传送速率对于防止沿所述基底的长度产生热梯度是有效的。

10.根据权利要求7所述的系统(10)，其特征在于，所述后加热区段(30)构造成用以加热所述基底(14)使其具有一定的温度轮廓，以便沿所述基底的长度产生受控的逐渐减小的温度梯度，直到整个所述基底传送出所述汽相沉积设备(22)，以及还包括在所述基底的传送方向上位于所述后加热模块下游的冷却区段(26)，所述传送器系统(66)构造成用以按大致相同的恒定线速度传送所述基底经过所述汽相沉积设备，进入并经过所述后加热区段，以及进入并经过所述冷却区段。