[发明专利]准SOI结构的制造方法

权利要求书

1.一种准SOI结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底上形成栅极结构；

以所述栅极结构为掩模图形化所述衬底，在栅极结构的两侧形成第一沟槽；

形成位于第一沟槽侧壁上的沟槽侧墙；

以所述沟槽侧墙为掩模图形化所述衬底，形成第二沟槽；

在第二沟槽的底部和第二沟槽的侧壁上形成绝缘层；

图形化所述绝缘层形成L型绝缘层；

在未被L型绝缘层覆盖的第二沟槽中进行第一次半导体材料沉积，形成第一半导体层，所述第一半导体层覆盖所述L型绝缘层；

去除沟槽侧墙；

进行第二次半导体材料沉积，直至所述半导体材料与衬底表面齐平，形成第二半导体层；

在栅极结构两侧的衬底中形成源/漏区。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，包括：所述绝缘层为氧化层，通过炉管或等离子体氧化的方法形成所述氧化层。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，第一沟槽的深度在100～500的范围内。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，以所述栅极结构为掩模图形化所述衬底，形成第一沟槽的步骤包括：通过无图形蚀刻图形化所述衬底。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，图形化所述绝缘层形成L型绝缘层的步骤包括：形成掩模图形，所述掩模图形覆盖所述栅极结构、且覆盖靠近栅极结构侧的位于第二沟槽底部上的部分绝缘层；去除未被掩模图形覆盖的绝缘层，形成L型绝缘层。

6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述掩模图形覆盖第二沟槽底部的一半以上。

7.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述去除未被掩模图形覆盖的绝缘层的步骤包括，通过干法或湿法去除所述绝缘层。

8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为氧化硅，通过含氢氟酸的溶液去除所述氧化硅。

9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二沟槽的侧壁倾角的角度小于或等于87°。

10.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述沟槽侧墙底部到第二沟槽底部的距离在100～1000的范围内。

11.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述形成位于第一沟槽侧壁上的沟槽侧墙的步骤包括：在第一沟槽侧壁和底部沉积介质材料，形成保形覆盖所述第一沟槽的介质层，之后通过蚀刻去除位于第一沟槽底部的介质层，形成沟槽侧墙。

12.如权利要求11所述的制造方法，其特征在于，具体地，所述沟槽侧墙的材料为氮化硅。

13.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，第一次半导体材料沉积、第二次半导体材料沉积过程中沉积的半导体材料为单晶硅。

14.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述单晶硅通过水平外延生长方法形成。

15.如权利要求14所述的制造方法，其特征在于，所述水平外延生长采用快速热退火化学气相沉积、超高真空化学气相沉积或分子束外延法的方法。

16.如权利要15所述的制造方法，其特征在于，所述水平外延生长方法形成单晶硅的生长条件包括：向反应腔室内通入的反应气体包括氢气、氯化氢和二氯硅烷，反应气体通入反应腔室的流量在20～200sccm的范围，生长温度在500～900℃的范围内，气压在5～60Torr的范围内，并且生长时间在2～30分钟的范围内。