[发明专利]一种固晶方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体封装技术，尤其涉及一种固晶方法。

背景技术

LED灯具有寿命长、省电力的特点，越来越广泛地应用于照明领域。

现有技术中，LED芯片往往通过银胶与基板连接，然后封胶；也有的通过Sn焊接，银的用量太少，导热性能不好；银的用量太大，牢固度不好；很难兼顾导热性和牢固度。

也有人采用Au/Sn共晶材料焊接芯片，如中国专利文献CN101691910A于2010年4月7日公开的LED封装模块的制备方法，用于权利要求1或权利要求3所述的LED封装模块的制作，该方法包括固晶工序，其特征在于，该固晶工序包括以下步骤：（1）设置热沉层，（2）放置LED芯片，（3）焊接，（4）冷却，其中，第（1）步所述的设置热沉层采用真空溅射的方式；第（2）步所述的放置LED芯片是将LED芯片置于热沉层上；第（3）步所述的焊接，是指将第（2）步制成的半成品过焊接炉，焊接炉的温度为250°C-300°C；第（4）步所述的冷却是指常温风冷却。

前述专利献在结构上解决了现有技术的缺陷，但待焊组件经过250°C-300°C焊接炉后，其焊接效果并不理想，若取得较好的效果，起码要280°C -320°C甚至更高，但组件经过焊接炉是一个连续的过程，超过250°C后对LED芯片的热损伤明显，出现不良品或潜在不良品。

另一方面，现有技术的固晶方法，需要真空镀膜和隧道炉等大型设备，过程比较复杂，成本也高。

发明内容

本发明的目的在于克服上述现有技术的不足之处而提供一种过程简洁的固晶方法。

本发明的目的可以通过以下技术方案实现：

一种固晶方法，其特征在于包括以下步骤：S10，提供带铜柱的胶壳；S20，提供Au/Sn共晶片，将Au/Sn共晶片置于铜柱端部；S30，超声熔化Au/Sn共晶片；S40，提供LED芯片，将LED芯片置于铜柱端部；其中，S30与S40之时间间隔为0.01s至0.25s之间。

固晶方法，其特征在于：所述S30步骤与S40步骤之时间间隔为0.05s至0.15s之间。

固晶方法，其特征在于：所述S30步骤与S40步骤之时间间隔为0.08s、0.1s、0.12s、0.14s。

固晶方法，其特征在于：所述S30步骤与S40步骤是在一个工位完成的，其工作空间充氮气保护。

固晶方法，其特征在于：所述S30步骤与S40步骤的工作空间的温度设定为4°C至12°C。

固晶方法，其特征在于：执行S30步骤及S40步骤时，所述铜柱的另一端抵接弹性冷却棒，弹性冷确棒的连接冷交换装置，以维持弹性冷确棒的温度恒定为4°C至10°C。

固晶方法，其特征在于：所还包括S50固晶后的干燥升温步骤。

固晶方法，其特征在于：通过具有多个工位的转盘，实现连续固晶。

固晶方法，其特征在于：所述铜柱穿设于胶壳，LED芯片设置于铜柱上表面的端部，铜柱下端面从胶壳的下表面露出，LED芯片从胶壳的上表面露出，胶壳内夹设电极，电极也从胶壳的上表面露出。

固晶方法，其特征在于：所述铜柱具有台阶，所述台阶将铜柱界定为大端和小端，LED芯片设置与铜柱的小端；所述胶壳上面具有柱状沉孔，沉孔具有水平的底部，所述的LED芯片及电极从胶壳上表面露出是指LED芯片及电极从沉孔的底部露出；所述电极水平夹设于胶壳内。

本发明的固晶方法，利用超声熔化Au/Sn共晶片，瞬时放置LED芯片，LED芯片承受高温的时间很短暂，与现有技术相比，LED芯片热损伤小，并且，本发明的固晶方法过程简洁，固晶成本低。

附图说明

图1是本发明第一个实施例之固晶方法制备的封装模块的示意图。

图2是本发明第一个实施例的流程图。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明作进一步详述。