[发明专利]一种非易失存储器的过擦除校验方法和校验系统

说明书

技术领域

本发明涉及半导体存储器技术领域，特别是涉及一种非易失存储器的过擦除校验方法和校验系统。

背景技术

为了验证存储器产品的正确性，在产品出厂前会进行一连串的测试流程。这些存储产品可以包括非挥发性存储器产品(例如，快闪存储器Flash，或是可电除可编程只读存储器EEPROM等)，也可以包括一次性可编程OTP类存储器。一般的测试流程可以包括产品管脚(pin)的短路/断路测试、逻辑功能测试、电擦除特性测试(以判断该挥发性存储器内的资料是否可以被电擦除且再写入新资料)、程序码测试(将写入该非挥发性存储器的程序码读出并与该写入程序码作比对，以判断该非挥发性存储器的读写动作是否正确)等等。

在进行电擦除特性测试过程中，以闪存(Flash Memory)为例，它是一种基于半导体的存储器，具有系统掉电后仍可保留内部信息、在线擦写等功能特点，闪存通过热电子注入机制实现对器件编程，采用隧道效应实现擦除。

为了加快擦除步骤的过程，一般都会施加较强的擦除条件来进行擦除(erase)操作，在这种情况下，block中的一些存储单元(cell)则可能出现过擦除(over-erase)的状态。

通常情况下，在block的擦除状态完成后(即指erase verify校验erase操作成功后)，会对各存储单元是否存在过擦除进行校验(verify)。常见的校验方法为：通过会选定一个存储单元作为参考存储单元(ref cell)，并给参考存储单元施加一个参考电压以在参考存储单元中产生一个参考电流，然后用其余存储单元的电流与参考电流进行比较，通过比较结果来确定是否存在过擦除状态。因为存储单元内的电流与存储单元的阈值电压V_T及参考电压有关，通常情况下，需要对存储单元的阈值电压V_T进行调整到标准值，从而产生符合条件的参考电流。一般的调整方法为，如果参考存储单元的阈值电压V_T小于标准值，则需要在参考存储单元的栅极、漏极及源极上施加一定的电压及脉冲，使参考存储单元的阈值电压V_T能够提升，通过不断的电压施加及脉冲直到阈值电压V_T提升到标准值。如果参考存储单元的阈值电压V_T大于标准值，则首先需要采用一定的擦除操作，使参考存储单元的阈值电压V_T降低到一个较小的值，再采用前述的提升电压的方式，使参考存储单元的阈值电压V_T提升至标准值。

采用这种方法需要对参考存储单元的阈值电压V_T不断调整来获得参考电流，而且需要逐步提升电压值，以保证存储单元的正常工作，因此通常调整电压的时间会较长，增加了测试时间及测试成本。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种非易失存储器的过擦除校验方法和校验系统，能够快速的提供所需的参考电压，无需进行调试，减少测试的时间及成本。

为了解决上述问题，本发明公开了一种非易失存储器的过擦除校验方法，包括以下步骤：

构造一个虚拟的参考存储单元，用于提供校验的参考电流；

给待校验的存储单元的字线上施加参考电压，在待校验的存储单元中得到测试电流；

比较测试电流与参考电流，判断待校验的存储单元是否存在过擦除。

进一步地，所述构造虚拟的参考存储单元的方法为：

构造一个外部电路作为虚拟的参考存储单元。

进一步地，所述构造一个外部电路作为虚拟的参考存储单元的方法为：

选取基准电阻；

给基准电阻施加参考电压以得到参考电流。

进一步地，所述构造外部电路作为虚拟的参考存储单元的方法还包括：

将选取的基准电阻设置在测试机台的内部或者待测存储器的内部。

进一步地，选取基准电阻的方法为：

根据参考电流的取值及参考电压的取值范围来选取。

进一步地，所述判断待校验的存储单元是否存在过擦除的方法为：

测试电流大于参考电流，则待校验的存储单元存在过擦除，反之，则待校验的存储单元处于正常擦除状态。

进一步地，所述方法还包括：

在给所述待校验的存储单元的字线上施加参考电压时，与待校验的存储单元同一位线上的非待校验存储单元字线上施加一个小于所述非待校验存储单元的阈值电压V_T的电压。