[发明专利]一种非易失存储器的过擦除校验方法和校验系统

权利要求书

1.一种非易失存储器的过擦除校验方法，其特征在于，包括以下步骤：

构造一个虚拟的参考存储单元，用于提供校验的参考电流；

给待校验的存储单元的字线上施加参考电压，在待校验的存储单元中得到测试电流；

比较测试电流与参考电流，判断待校验的存储单元是否存在过擦除。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述构造虚拟的参考存储单元的方法为：

构造一个外部电路作为虚拟的参考存储单元。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述构造一个外部电路作为虚拟的参考存储单元的方法为：

选取基准电阻；

给基准电阻施加参考电压以得到参考电流。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述构造外部电路作为虚拟的参考存储单元的方法还包括：

将选取的基准电阻设置在测试机台的内部或者待测存储器的内部。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，选取基准电阻的方法为：

根据参考电流的取值及参考电压的取值范围来选取。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述判断待校验的存储单元是否存在过擦除的方法为：

测试电流大于参考电流，则待校验的存储单元存在过擦除，反之，则待校验的存储单元处于正常擦除状态。

7.如权利要求1至6任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在给所述待校验的存储单元的字线上施加参考电压时，与待校验的存储单元同一位线上的非待校验存储单元字线上施加一个小于所述非待校验存储单元的阈值电压V_T的电压。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述给与所述待校验的存储单元同一位线上的其它存储单元的字线上施加一个相同的电压，所述相同的电压小于或者等于所述非待校验存储单元中的最小阈值电压V_T。

9.一种非易失存储器的过擦除校验系统，其特征在于，包括：

虚拟参考存储单元模块：提供校验的参考电流；

电压施加模块，用于给待校验的存储单元施加参考电压

电流测量模块，对虚拟参考存储单元模块的参考电流及待校验的存储单元的测试电流进行测量；及

比较模块，对参考电流及测试电流进行比较。

10.如权利要求9所述的系统，其特征在于，所述过擦除校验系统还包括延时模块，用于通知电流测量模块延时测量虚拟参考存储单元模块的参考电流。