[发明专利]具有改进的用于等离子体清洁处理的适应性的物体

说明书

技术领域

本发明涉及一种光刻设备和方法。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ICs)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单个的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓的步进机，在步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；和所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。

等离子体清洁处理可以用于通过使用从气体物质产生的高能等离子体从物体的表面区域去除颗粒、杂质和污染物。可以使用例如氩气和氧气的气体以及例如空气和氢气/氮气的混合物。可以在低压气相进行离子化的同时，产生这种高能等离子体。高能、离子化气体物质与将要被清洁的物体表面区域上的杂质和污染物反应，通常产生可以通过真空系统去除的气体产物。高能物质还通过与表面区域碰撞来清洁所述表面，从表面区域冲击掉杂质和污染物。在对具有不同污染水平的物体进行常规的等离子体清洁处理的情况下，不能获得高水平的清洁度，其可能需要对于物体进行单独地和手动地清洁的组件和包装材料。此外，例如，存在于物体的外表面区域上的例如润滑剂或油的碳氢化合物会给等离子体清洁装置本身带来污染。在执行等离子体清洁处理之后，在作为一个整体来组装物体和包装材料期间，存在污染的风险。

发明内容

本发明的一个方面涉及一种物体，例如机器人，适于在等离子体清洁装置内的等离子体清洁处理，所述物体包括具有第一污染水平的第一外表面区域和具有第二污染水平的第二外表面区域，其中第二污染水平高于第一污染水平。

根据本发明的一方面，提供一种物体，其具有改进的用于等离子体清洁处理的适应性。为此，所述物体构造并布置成与可去除盖协同操作，其中所述盖可连接至所述物体以覆盖所述第二外表面区域，和其中，与所述可去除盖连接的所述物体可以在等离子体清洁装置内被清洁，使得所述等离子体清洁装置不暴露给第二外表面区域的颗粒，和，其中所述第一外表面区域在等离子体清洁装置内被清洁。

这样的技术效果在于，基本上避免了从第二外表面区域去除颗粒、杂质以及污染物。这有利地导致减小等离子体清洁装置本身被污染的风险，还导致提高物体本身的清洁度。这种类型的物体的另一优点在于，不再需要单独地和手动地清洁所述物体的所有组件并在等离子体清洁处理之前单独地和手动地清洁包装材料并在清洁之后再将这些组件组装在一起，导致显著地缩短拆卸、清洁和组装物体的整个周期的时间。还一优点在于，显著地减小由于减少处理物体必要的步骤所导致的物体的新的污染的风险。

附图说明

现在参照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本发明的实施例，其中，在附图中相应的附图标记表示相应的部件，且其中：

图1示意地示出了根据本发明一个实施例的光刻设备；

图2示意地示出放置在等离子体清洁装置内的根据本发明一个实施例的物体；

图3示意地示出放置在等离子体清洁装置内的根据本发明一个实施例的物体；

图4示意地示出在等离子体清洁处理期间的根据本发明一个实施例的物体；

图5示意地示出在准备等离子体清洁处理时的根据本发明一个实施例的物体；

图6示意地示出在等离子体清洁处理期间的根据本发明一个实施例的物体；

图7示意地示出在准备等离子体清洁处理时的根据本发明一个实施例的物体。

具体实施方式

图1示意地示出了根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述光刻设备包括：

-照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或极紫外(EUV)辐射)；

-图案形成装置支撑件或支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM相连；