[发明专利]发光器件

说明书

技术领域

本发明涉及发光器件和发光器件封装。

背景技术

发光二极管(LED)是将电流转换成光的半导体发光器件。近来，LED的亮度得到增加，使得LED已经被用作用于显示装置、车辆、或者照明装置的光源。另外，LED能够通过采用冷光材料或者通过组合具有各种颜色的LED，从而能够显示出具有优秀的光效率的白光。

同时，根据诸如有源层的结构、用于将光有效地提取到外部的光提取结构、被用于LED的半导体材料、芯片尺寸、以及包围LED的成型构件的类型的各种条件来更改LED的亮度。

发明内容

实施例提供能够具有新颖的结构的发光器件和具有该发光器件的发光器件封装。实施例提供能够提高光提取效率的发光器件和具有该发光器件的发光器件封装。实施例提供能够改善电流特性同时降低工作电压的发光器件和具有该发光器件的发光器件封装。

根据实施例的发光器件包括：第二导电半导体层；在所述第二导电半导体层上的有源层；在所述有源层上的第一半导体层，第一半导体层具有带有台阶(step)部分的至少一个横向侧面；以及在台阶部分上的横向电极，所述横向电极被形成在第一半导体层的至少一个横向侧面上。

根据实施例的发光器件封装包括：衬底和发光模块，该发光模块包括被对准在衬底上的发光器件。发光器件可以包括：第二导电半导体层；在第二导电半导体层上的有源层；在有源层上的第一半导体层，其中，该第一半导体层具有带有台阶部分的至少一个横向侧面；以及在台阶部分上的横向电极，所述横向电极被形成在第一半导体层的至少一个横向侧面上。

附图说明

图1是示出根据实施例的发光器件的截面图；

图2是图1中所示的发光器件的透视图；

图3是图1中所示的发光器件的平面图；

图4是示出被形成在图1中所示的发光器件中的焊盘部分的截面图；

图5至图10示出用于制造根据实施例的发光器件的程序的视图；

图11是示出根据另一实施例的发光器件的截面图；

图12是示出根据又一实施例的发光器件的截面图；

图13是示出根据又一实施例的发光器件的截面图；

图14是示出根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的截面图；

图15是示出根据实施例的包括发光器件封装的背光单元的分解透视图；以及

图16是示出根据实施例的包括发光器件封装的照明单元的透视图。

具体实施方式

在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或膜)、区域、图案、或结构被称为在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一垫、或另一图案“上”或“下”时，它能够“直接”或“间接”在另一衬底、层(或膜)、区域、垫、或图案上，或者也可以存在一个或多个中间层。已经参考附图描述了层的这样的位置。

出于方便或清楚的目的，附图中所示的每层的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意性绘制。另外，元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。

在下文中，将参考附图描述根据实施例的发光器件以及制造发光器件的方法。

图1是示出根据实施例的发光器件1的截面图，并且图2是发光器件1的透视图。

参考图1和图2，发光器件1包括：导电支撑构件170；导电支撑构件170上的反射层160；反射层160上的第二导电半导体层150；第二导电半导体层上的有源层140；被形成在有源层140上的第一半导体层130，并且在所述第一半导体层130的至少一侧上提供有台阶部分(step part)；以及被形成在第一半导体层130的台阶部分上的横向电极180。

导电支撑构件170可以包括从由Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo以及诸如Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC、SiGe、或者GaN的载体(carrier)晶圆组成的组中选择的至少一个。

导电支撑构件170和横向电极180将电力提供到发光器件1，并且支撑被形成在导电支撑构件170上的多层。

反射层160被形成在导电支撑构件170上。反射层160可以包括具有优秀的反射率的Ag、Al、Pt以及Pd中的至少一个。

同时，结合层(未示出)能够被形成在反射层160和导电支撑构件170之间，以加强反射层160和导电支撑构件170之间的界面结合强度。