[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

第二导电半导体层；

在所述第二导电半导体层上的有源层；

在所述有源层上的第一半导体层，所述第一半导体层具有带有台阶部分的至少一个横向侧面；以及

横向电极，所述台阶部分上的所述横向电极被形成在所述第一半导体层的至少一个横向侧面上。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述台阶部分被形成在所述第一半导体层的所有的横向侧面上。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述有源层具有与所述有源层相邻的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，并且

所述第一半导体层包括：第一区域和第二区域，所述第一区域从与所述第一表面相邻的所述横向电极的末端延伸到所述第一半导体层的第二表面；所述第二区域位于所述第一区域和所述有源层之间。

4.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述第二区域具有0.1μm至0.3μm的范围内的厚度。

5.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述第一区域具有1.5μm至2.0μm的范围内的厚度。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一半导体层包括第一导电半导体层和在所述第一导电半导体层上的未掺杂的半导体层。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述横向电极延伸到所述第一半导体层的顶表面的一部分上。

8.根据权利要求7所述的发光器件，其中，延伸到所述第一半导体层的顶表面上的所述横向电极的所述部分沿着所述第一半导体层的顶表面的外围部分而形成。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述横向电极包括焊盘部分。

10.根据权利要求9所述的发光器件，其中，所述横向电极延伸到所述第一半导体层的顶表面的一部分上，并且所述焊盘部分被形成在所述第一半导体层的顶表面上。

11.根据权利要求10所述的发光器件，其中，所述焊盘部分与所述第一半导体层的顶表面的边缘相邻。

12.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述横向电极包括至少一个金属和透明导电材料。

13.根据权利要求14所述的发光器件，其中，所述横向电极包括Ag、Al、Pt、Pd、ITO、IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、AZO(Al-ZnO)、AGZO(Al-Ga ZnO)、IGZO(In-Ga ZnO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au以及Ni/IrOx/Au/ITO中的至少一个。

14.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括在所述第二导电半导体层下面的导电支撑构件。

15.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述横向电极的横向侧面与所述有源层和所述第二导电半导体层的横向侧面对准。