[发明专利]Ag/石墨烯纳米导电复合材料及其制备方法无效
申请号: | 201010542737.8 | 申请日: | 2010-11-10 |
公开(公告)号: | CN102136306A | 公开(公告)日: | 2011-07-27 |
发明(设计)人: | 莫尊理;刘鹏伟;赵永霞;郭瑞斌;冯超;邓哲鹏 | 申请(专利权)人: | 西北师范大学 |
主分类号: | H01B1/04 | 分类号: | H01B1/04;H01B13/00 |
代理公司: | 甘肃省知识产权事务中心 62100 | 代理人: | 张英荷 |
地址: | 730070 甘肃*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | ag 石墨 纳米 导电 复合材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种Ag/石墨烯纳米导电复合材料的制备方法,其特征在于:将氧化石墨在水中超声分散1~2小时,加入硝酸银固体,继续超声25~30min,升温至70~80℃,加入硼氢化钠回流反应1~2小时,趁热过滤,洗涤,干燥,研磨,得到Ag/石墨烯纳米导电复合材料。
2.如权利要求1所述Ag/石墨烯纳米导电复合材料的制备方法,其特征在于:所述氧化石墨与硝酸银固体的质量比为1∶0.01~1∶0.12。
3.如权利要求1所述Ag/石墨烯纳米导电复合材料的制备方法,其特征在于:所述硼氢化钠与氧化石墨的质量比为1∶0.08~1∶0.12。
4.如权利要求1所述方法制备的Ag/石墨烯纳米导电复合材料。
5.如权利要求4所述Ag/石墨烯纳米导电复合材料,其特征在于:纳米银粒子均匀分散于石墨烯中,并与石墨烯形成了导电网络。
6.如权利要求4所述Ag/石墨烯纳米导电复合材料,其特征在于:复合材料中纳米银粒子与石墨烯的质量比为1∶100~1∶10,复合材料的导电率为1.61~2.89S/cm。
7.如权利要求4所述Ag/石墨烯纳米导电复合材料,其特征在于:所述纳米银粒子的粒径为6~7nm。
8.如权利要求4所述Ag/石墨烯纳米导电复合材料,其特征在于:所述石墨烯的厚度为0.8~1nm。
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