[发明专利]一种高压BCD半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种高压BCD半导体器件的制造方法，包括以下的工艺步骤：

步骤1：衬底制备；采用<100>晶向的P型硅衬底，掺硼使衬底电阻为80Ω·cm；

步骤2：制备掺N型杂质的深阱DNW；在步骤1制备的P型硅衬底上生长30±5纳米厚的氧化层约为保护层，在高压JFET器件区、高压nLDMOS器件区、中低压LDMOS器件区、CMOS器件区、Bipolar器件区、阱电阻和电容区用dnw光刻版进行刻蚀，磷高能注入、并高温推阱，最后形成各类器件所需要的N型杂质的深阱DNW；

步骤3：制备场氧；采用active光刻版进行光刻，在各器件隔离区、高压JFET器件区、高压nLDMOS器件区和中低压LDMOS器件区热生长氧化层，形成场氧层；

步骤4：制备N阱；在低压pLDMOS器件区、CMOS器件区、电阻区采用nwell光刻版进行刻蚀，磷高能注入，形成N阱；

步骤5：制备P阱；在高压JFET器件区、高压nLDMOS器件区、中低压LDMOS器件区、CMOS器件区、电阻和电容区采用pwell光刻版进行刻蚀，硼高能注入，形成P阱；

步骤6：制备栅及场板；长一薄层氧化层再去掉，得到纯净表面，再在整个区域生长栅氧，淀积多晶硅，并采用poly光刻版进行刻蚀形成MOS器件的多晶栅和多晶场板；

步骤7：制备N型重掺杂区NSD；在高压JFET器件和所有n型MOS器件的源漏区、p型LDMOS器件的源区、CMOS器件中p型MOS器件的衬底接触区、NPN器件的发射级和集电极区、N阱电阻接触区和N阱电容的接触区及P阱电阻的衬底引出端采用nsd光刻版刻蚀，并进行磷注入，形成NSD注入；

步骤8：制备P型重掺杂区PSD；在高压JFET器件栅区和n型LDMOS器件的源区、p型MOS器件的源漏区、CMOS器件中n型MOS器件的衬底接触区、NPN器件的基极接触区、P阱电阻接触区和N阱电容的引出端采用psd光刻版进行刻蚀，并进行磷注入，形成PSD注入；

步骤9：退火；

步骤10：NSD/PSD激活；

步骤11：制备欧姆孔；淀积氧化层后，在芯片需要接引线的区域采用cont光刻版进行欧姆孔刻蚀；

步骤12：形成金属层；金属溅射，采用metal光刻版刻蚀，形成金属引线；

步骤13：制备钝化层；二氧化硅和氮化硅淀积，刻蚀形成钝化层；

步骤14：制备压焊点区PAD；采用pad光刻版在芯片上用来接外围电路的位置刻蚀压焊 点区PAD。

2.根据权利要求1所述的一种高压BCD半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤4和步骤5没有先后顺序限制。

3.根据权利要求1所述的一种高压BCD半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤7和步骤8没有先后顺序限制。