[发明专利]铝与氧化钼共混薄膜作为阳极的有机电致发光器件无效
申请号: | 201010504932.1 | 申请日: | 2010-10-12 |
公开(公告)号: | CN102447072A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 闵军辉;徐宁;宋书清 | 申请(专利权)人: | 西安文景光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52 |
代理公司: | 西安文盛专利代理有限公司 61100 | 代理人: | 陈小霞 |
地址: | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化钼 薄膜 作为 阳极 有机 电致发光 器件 | ||
1.一种有机电致发光器件,它具有多层结构,其中包括一个阳极膜层,其特征是:所述的阳极膜层为金属铝与氧化钼材料的共混薄膜,并且金属铝能以1摩尔%~99摩尔%的量与氧化钼的共混。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征是:所述的金属铝中可以混掺入选自碱金属、碱土金属、第三主族金属、过渡金属金、稀土金属或贵金属的金属材料,金属铝能以1摩尔%~100摩尔%的量与所选金属材料掺混。
3.根据权利要求2所述的有机电致发光器件,其特征是:所述的金属铝可以以30摩尔%~100摩尔%的优选量或70摩尔%~100摩尔%的最优量与所选金属材料掺混。
4.根据权利要求1或2或3所述的有机电致发光器件,其特征是:所述的氧化钼中可以掺混入选自金属氧化物、芳基胺型化合物、酞菁铜、P型盘状化合物或低聚噻吩的空穴注入材料,其中所述的P型盘状化合物如化学式1或化学式2表示:
化学式1 化学式2
所述化学式1和化学式2中的各R独立地或同时选自氢、1~4个碳的烷烃、烷氧基或腈基;并且氧化钼可以以1摩尔%~100摩尔%的量与所选空穴注入材料掺混。
5.根据权利要求4所述的有机电致发光器件,其特征是:所述的氧化钼可以以30摩尔%~100摩尔%的优选量或70摩尔%~100摩尔%的最优量与所选空穴注入材料掺混。
6.根据权利要求4所述的有机电致发光器件,其特征是所述的多层结构是按下列顺序的:
a.透明或半透明基底
b.阳极
c.空穴注入层
d.空穴传输层
e.发光层
f.电子传输层
g.电子注入层
h.阴极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安文景光电科技有限公司,未经西安文景光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010504932.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:防振锤
- 下一篇:非皂化转型预纯化和联动萃取结合分离出单一稀土的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择