[发明专利]芯片擦除方法

说明书

技术领域

本发明涉及闪存器件，尤其是闪存器件中的芯片擦除方法。

背景技术

闪存(Flash Memory)是一种非易失性的存储器，在断电情况下仍能保持所存储的数据信息。闪存是电子可擦除只读存储器(EEPROM)的变种，区别于EEPROM仅能在字节水平上进行删除和重写，闪存能够执行整个芯片的擦写，从而具有比EEPROM更快的速度。

芯片擦除(chip erase)是闪存中的一种重要操作。现有技术中，通常采用这样的芯片擦除方法：首先，对芯片中的全部字线进行译码，以获得所有字线的地址；接着，根据译码结果同时选中全部字线；然后，对所选中的字线同时进行置位，例如统一置高电平或低电平，从而擦除全部字线中原先的数值。

参考图1，闪存至少包括译码器110，用于对字线进行译码；以及字线阵列120。当闪存执行芯片擦除功能时，首先通过译码器110对字线进行译码。例如，所述闪存具有4nk条字线，对应地译码器100可包括n条位线，通过将每一条位线的值置为1或者置为0，以确定译码器100的译码结果所对应的字线。接着，参考图2，通过使能信号同时选中所有字线，例如，所述使能信号X可为脉冲信号，或上升沿信号，当出现所述使能信号时，译码所对应的所有字线都被施加一预定电压值，例如电源电压值。以选中所述字线。然后，再通过擦除信号对所有的字线同时进行置位，以完成擦除操作。

然而，在现有技术中，当同时对芯片中所有字线进行译码并选中时，所有的字线被预施加至同一电压值，这使得在所有字线被选中的瞬间会产生很大的功耗。所产生的瞬间高功耗会带来诸多问题，例如拉低了电源电压的值，从而影响芯片的正常工作，而且会产生部分字线未被选中的情况，从而无法完成芯片擦除的操作。甚至，还会产生将会在芯片内部产生一些负效应，例如产生P型FET的前向偏置，进而导致闩锁(latch up)效应。

为了避免上述问题，有必要提供一种芯片擦除方法。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种芯片擦除方法，以解决在执行芯片擦除操作时存在的瞬时高功耗及其可能带来的后续问题。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种芯片擦除方法，包括通过译码获得对应的字线，其中还包括：将译码获得的所述对应的字线分成预定部分，分别依次选中各部分的字线；对所有选中的字线同时执行芯片擦除操作。

可选的，根据芯片功率大小以及字线译码的功耗确定将所述字线分成的预定部分的数目。

可选的，所述预定部分的数目为2的自然数次幂。

可选的，所述预定部分为2、4、8和16中之一。

与现有技术相比，本发明操作简便，可根据芯片功率大小以及字线译码的功耗对字线译码分分部分完成，实现了工耗和译码效果的均衡，降低了译码时的瞬时功耗，避免了由此而带来的诸多问题。

附图说明

图1是现有技术中译码装置和字线阵列的结构示意图；

图2是现有技术中所有字线被同时选中的波形示意图；

图3是本发明芯片擦除方法一种实施方式的流程示意图；

图4是本发明芯片擦除方法一种实施方式中字线被分为4个预定部分的结构示意图；

图5是本发明芯片擦除方法一种实施方式中被分为预定部分的字线分别被选中的波形示意图。

具体实施方式

发明人在总结了大量的实践经验之后，提出了一种新型的芯片擦除方法，通过将译码获得的字线分成预定部分并分别选中各部分的字线，此后再执行擦除，从而避免了由于同时对所有字线进行译码和选中而带来的瞬时高功耗，以及由于瞬间功耗的增大而带来的电源电压降低等诸多问题，有效地节省了工时和能耗，保证了芯片的正常工作。

下面结合附图和具体实施例，对本发明芯片擦除方法的实施方式作进一步说明。

参考图3，本发明芯片擦除方法的一种实施方式可包括：

步骤S1，通过译码获得对应的字线；

步骤S2，将译码获得的所述对应的字线分成预定部分，分别依次选中各部分的字线；

步骤S3，当完成所有字线的译码之后，执行芯片擦除动作。