[发明专利]基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种具备处理区和自输送容器取出基板的区的基板处理装置，该处理区包括多个用于对基板进行单片式处理的处理单元。

背景技术

在半导体器件等的制造工序中进行液处理，该液处理通过将药液、纯水等处理液供给到半导体晶圆(以下称作晶圆)等基板的表面上而将附着在基板上的微粒(particle)、污染物质除去。

作为进行上述液处理的液处理装置的一种，有下述液处理装置：在旋转吸盘上一张一张地载置基板，然后一边使基板旋转一边将处理液供给到该基板的表面上而执行液处理。这种液处理装置中例如有如下这种液处理装置，即，使用共用的基板输送机构将基板输送到多个能够执行同种液处理的液处理单元中，从而一边在多个液处理单元中同时执行液处理一边连续地更换基板，提高了每单位时间内的基板的处理张数(生产率)(专利文献1)。

本发明的发明人研究了进一步提高具有上述构造的液处理装置的生产率的方法。在使用具有上述构造的液处理装置的情况下，若增加液处理单元的搭载数量时，则能够增加可同时处理的基板的张数，从而能够提高生产率。但是，若如上述那样在一台液处理装置中增加液处理单元的数量，则在例如各液处理单元、基板输送机构、用于向液处理单元供给处理液的供给系统等发生了不良情况时，不得不使整个液处理装置停止运转，由此加大所产生的损失。

这里，在专利文献2中公开了一种涂敷、显影装置，该装置用于在半导体晶圆上进行涂敷液的涂敷处理、热处理和曝光后的显影处理等一连串的处理，其中，该装置彼此相连接地设置有处理区，在该处理区中以相同结构配置有处理单元、基板输送部件，通过增加或减少该处理区的数量，能够依据所要求的生产率设计、制造装置。

但是，在该结构中，在自搬运器区S1向第3处理区S4交接晶圆W时，先用第1处理区S2的梭式臂(shuttle arm)G1将晶圆W交接到第2处理区S3中，然后再用第2处理区S3的梭式臂G2将晶圆W交接到第3处理区S4中。因此，在第2处理区S3的组件、输送部件发生了不良情况时，无法将晶圆W交接到第3处理区S4中，所以即使应用专利文献2所述的技术，有时仍不能使液处理装置高效运转。

专利文献1：日本特开2008-34490号公报：第20段、图1

专利文献2：日本特开2008-258209号公报：图1～图3、图7

发明内容

本发明是鉴于上述情况而做成的，目的在于提供一种能够提高生产率、且即使发生了不良情况也能抑制装置整体的运转率下降的基板处理装置。

因此，本发明的基板处理装置的特征在于，包括：

基板搬入区，其包括容器载置部和交接机构，该容器载置部用于载置基板输送容器，该基板输送容器收纳有基板，该交接机构用于将基板交接到被载置在该容器载置部上的基板输送容器中；

第1处理区、第2处理区和第3处理区，它们包括用于对基板进行处理的多个处理单元和用于将基板交接到上述处理单元中的基板输送机构，且自上述基板搬入区侧依次配置上述各处理区；

第1交接台，其用于自上述交接机构将基板交接到上述第1处理区；

第1直接输送机构，其用于将自上述交接机构接受的基板直接输送到上述第2处理区中；

第2直接输送机构，其用于将自上述交接机构接受的基板直接输送到上述第3处理区中。

上述基板处理装置也可以具有下述特征。

(a)横向配置各个上述第1处理区、第2处理区和第3处理区。

(b)上述第2处理区具有交接台，该交接台用于与上述第1直接输送机构交接基板；

上述第3处理区具有交接台，该交接台用于与上述第2直接输送机构交接基板。

(c)第1处理区、第2处理区和第3处理区分别具有彼此层叠设置的上层处理区和下层处理区，上述上层处理区和下层处理区分别包括用于对各基板进行处理的多个处理单元以及用于将基板交接到上述处理单元中的基板输送机构，上述第2处理区和第3处理区分别包括上层台、下层台和上下输送机构，上述上层台利用上述上层处理区的基板输送机构交接基板，上述下层台利用上述下层处理区的基板输送机构交接基板，上述上下输送机构将利用上述第1直接输送机构或上述第2直接输送机构输送来的基板交接到上述上层台或下层台上。