[发明专利]镀膜件及其制备方法

权利要求书

1.一种镀膜件，包括基材，其特征在于：该镀膜件还包括形成于基材表面的打底层、形成于打底层表面的过渡层及形成于过渡层表面的硬质层，该打底层为Al、Ti、Cr或Zr层；该过渡层为A_tX_yMe_z(C_vN_1-v)层，其中0.4≤t≤0.8，0.35≤y≤0.65，0.05≤z≤0.08，0.75≤(t+y+z)≤1.05，0.75≤v≤1.0，其中A为打底层中的金属Al、Ti、Cr或Zr，X为W或Mo，Me为Rh或Pd；该硬质层为X_nMe_g(C_kN_1-k)层，其中0.35≤n≤0.65，0.05≤g≤0.08，0.40≤(n+g)≤0.71，0.70≤k≤1.0，其中X为过渡层中的金属W或Mo，Me为过渡层中的金属Rh或Pd。

2.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述基材为铝合金、镁合金、钛合金或不锈钢。

3.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：该打底层以磁控溅射的方式形成，该打底层的厚度为100～200nm。

4.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：该过渡层以磁控溅射的方式形成，该过渡层的厚度为100～300nm。

5.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：该硬质层以磁控溅射的方式形成，该硬质层的厚度为300～600nm。

6.一种镀膜件的制备方法，其包括如下步骤：

提供一基材；

在该基材表面形成打底层，该打底层为Al、Ti、Cr或Zr层；

在打底层的表面形成过渡层，该过渡层为A_tX_yMe_z(C_vN_1-v)层，其中0.4≤t≤0.8，0.35≤y≤0.65，0.05≤z≤0.08，0.75≤(t+y+z)≤1.05，0.75≤v≤1.0，其中A为打底层中的金属Al、Ti、Cr或Zr，X为W或Mo，Me为Rh或Pd；

在过渡层的表面形成硬质层，该硬质层为X_nMe_g(C_kN_1-k)层，其中0.35≤n≤0.65，0.05≤g≤0.08，0.40≤(n+g)≤0.71，0.70≤k≤1.0，其中X为过渡层中的金属W或Mo，Me为过渡层中的金属Rh或Pd。

7.如权利要求6所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述形成打底层的步骤采用如下方式实现：采用磁控溅射法，使用铝靶、钛靶、铬靶、锆靶中的一种为靶材，以氩气为工作气体，氩气流量为100～300sccm，基材偏压为-100～-200V，加热使基材的温度为200～500℃，镀膜时间为10～30min。

8.如权利要求6所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述形成过渡层的步骤采用如下方式实现：采用磁控溅射法，使用铝靶、钛靶、铬靶、锆靶中的一种、钨靶与钼靶中的一种以及铑靶与钯靶中的一种为靶材，以氨气和乙炔为反应气体，氨气流量为50～200sccm，乙炔流量为30～200sccm，以氩气为工作气体，氩气流量为100～300sccm，基材偏压为-100～-200V，加热使基材的温度为200～500℃，镀膜时间为30～40min。

9.如权利要求6所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述形成硬质层的步骤采用如下方式实现：采用磁控溅射法，使用钨靶与钼靶中的一种及铑靶与钯靶中的一种为靶材，以氨气和乙炔为反应气体，氨气流量为50～200sccm，乙炔流量为30～200sccm，以氩气为工作气体，氩气流量为100～300sccm，基材偏压为-100～-200V，加热使基材的温度为200～500℃，镀膜时间为30～60min。