[发明专利]一种中子无损检测系统有效
申请号: | 201010294769.0 | 申请日: | 2010-09-28 |
公开(公告)号: | CN102419335A | 公开(公告)日: | 2012-04-18 |
发明(设计)人: | 邹宇斌;温伟伟;唐国有;李航 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | G01N23/05 | 分类号: | G01N23/05 |
代理公司: | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人: | 陈美章 |
地址: | 100871 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 中子 无损 检测 系统 | ||
1.一种中子无损检测系统,其特征在于包括一中子源、测试样品放置装置、成像装置、图像处理单元;所述中子源与所述成像装置位于所述测试样品放置装置的同一侧或所述测试样品放置装置相对的两侧;其中所述成像装置包括光阑、位置灵敏探测器,所述光阑位于所述测试样品放置装置与所述位置灵敏探测器之间,所述位置灵敏探测器经数据线与所述图像处理单元连接。
2.如权利要求1所述的系统,其特征在于所述光阑为小孔光阑或编码光阑。
3.如权利要求2所述的系统,其特征在于所述光阑的材料为具有对低能中子强吸收的材料。
4.如权利要求1所述的系统,其特征在于所述中子源为加速器中子源。
5.如权利要求1所述的系统,其特征在于所述中子源为中子管中子源。
6.如权利要求1所述的系统,其特征在于所述中子源为同位素中子源。
7.如权利要求1或2或3或4或5或6所述的系统,其特征在于所述中子源的发射端外围设置一开口的中子屏蔽罩。
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