[发明专利]显示装置有效
申请号: | 201010293330.6 | 申请日: | 2010-09-27 |
公开(公告)号: | CN102034851A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 角田乃亚;坂口清文 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 魏小薇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及具有有机电致发光(EL)元件的显示装置,特别是涉及具有可改善视角特性的有机EL元件的显示装置。
背景技术
诸如有机EL元件的电极、发光层和空穴传输层之类的有机化合物层容易通过与空气中的水分或氧气的反应而被腐蚀或氧化。这种腐蚀和氧化使称为暗斑(dark spot)的非发光部分显著成长,并且,随着时间的过去导致有机EL元件的特性劣化。现在将描述导致暗斑的因素。
通常,有机EL元件的表面被保护层覆盖,用于防止有机化合物层与空气中的水分或氧气接触。但是,由于诸如在制造过程中产生的蚀刻残留物和灰尘之类的微粒,会在保护层中部分地形成小孔(pinhole)。然后,氧气和水分穿过小孔进入元件的内部以形成暗斑。为了防止氧气和水分的渗入,保护层可以是厚的,以便充分地覆盖微粒。但是,由于由诸如SiN之类的无机材料制成的保护层由CVD等形成,因此将该层形成为厚的花费长的时间,从而导致成本增加的问题。同时,提出如下的设计:其中,形成可通过涂敷等方便地形成的树脂层,用于充分地覆盖微粒,并且,在树脂层上进一步形成质密的无机材料的保护层。
日本专利公开No.2002-025765公开了一种涉及在有机EL元件的上电极上形成保护层的密封技术,该保护层具有由硅的氧氮化物(SiON)层/有机材料层/硅的氧氮化物(SiON)层构成的叠层结构。
此外,在日本专利公开No.2005-19148中,为了给出令人满意的放射分布并且提供自然的可视性,在覆盖有机EL元件的覆盖层(例如SiO2)的上表面上形成具有负折光力的微光学元件。
顺便提及,在日本专利公开No.2002-025765中公开的具有叠层结构的保护层与日本专利公开No.2005-19148所示的具有负折光力的微光学元件(凹形的微透镜)的组合导致以下的问题。
即,当在用作保护层的叠层结构上设置由树脂制成的微透镜阵列时,微透镜层自身暴露于外部气体环境。因此,气体环境中的水分很容易渗入微透镜,以由于膨胀而引起折射率和形状的变化,从而导致透镜功能的降低。
为了解决该问题,可以在微透镜的表面上形成由诸如SiN之类的无机材料制成的最外面的保护层。在这种情况下,层结构具有五个层,该五个层包含由三个层构成的保护层和构成微透镜的树脂层,这导致成本的增加。
另外,在这种结构中,构成反射界面的层界面的数量增大,并由此增大在元件中捕获的发射光的量。结果,被提取到外部的光的总量减少,并且还由此降低倾斜方向上的亮度,这导致视角特性的劣化。
发明内容
本发明的第一方面涉及一种显示装置,该显示装置包括像素的阵列,所述像素的阵列具有多个有机EL元件,所述多个有机EL元件各具有一对电极和有机化合物层,该有机化合物层包含发光层并且被设置在所述一对电极之间,并且,该显示装置包括保护层,所述保护层被设置在所述多个有机EL元件上。所述保护层具有由无机材料制成的第一保护层、由树脂材料制成并且被设置在第一保护层上的第二保护层和由无机材料制成并且被设置在第二保护层上的第三保护层。第二保护层包含用于使从发光层发射的光的至少一部分发散的透镜,并且,透镜具有细长的凹形形状。
本发明的另一方面涉及一种显示装置,该显示装置包括像素的阵列,所述像素的阵列具有多个有机EL元件,所述多个有机EL元件各具有一对电极和有机化合物层,该有机化合物层包含发光层并且被设置在所述一对电极之间,并且,所述显示装置包括被设置在所述多个有机EL元件上的保护层。保护层包含用于使从发光层发射的光的至少一部分发散的细长的凹形的透镜。
本发明的又一方面涉及一种显示装置,该显示装置包括像素的阵列,所述像素的阵列包括多个有机EL元件,所述多个有机EL元件各具有一对电极和有机化合物层,该有机化合物层包含发光层并且被设置在所述一对电极之间;并且,所述显示装置包括用于使从发光层发射的光的至少一部分发散的细长的凹形的透镜。
参照附图阅读示例性实施例的以下描述,本发明的其它特征将变得清晰。
附图说明
图1是示出本发明的实施例的部分截面图。
图2是示出已知的结构的部分截面图。
图3是示出发射角和相对亮度之间的相关关系的曲线图。
图4A是示出根据本发明的各方面的显示装置的制造过程的实施例的图。
图4B是示出根据本发明的各方面的显示装置的制造过程的实施例的图。
图4C是示出根据本发明的各方面的显示装置的制造过程的实施例的图。
图4D是示出根据本发明的各方面的显示装置的制造过程的实施例的图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的