[发明专利]光记录介质用半透明反射膜和反射膜、以及用于形成这些半透明反射膜和反射膜的Ag合金溅射靶有效
申请号: | 201010289035.3 | 申请日: | 2006-12-28 |
公开(公告)号: | CN101942644A | 公开(公告)日: | 2011-01-12 |
发明(设计)人: | 小见山昌三;山口刚;三岛昭史 | 申请(专利权)人: | 三菱麻铁里亚尔株式会社 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/14;C22C5/06 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 高旭轶 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 记录 介质 半透明 反射 以及 用于 形成 这些 ag 合金 溅射 | ||
1.光记录介质的半透明反射膜,其特征在于,包含银合金,该银合金具有含有0.05~1质量%的Mg、0.2~0.5质量%的Eu、余量包含Ag和不可避免杂质的组成。
2.光记录介质的半透明反射膜,其特征在于,包含银合金,该银合金具有含有0.05~1质量%的Mg、0.2~0.5质量%的Eu、进而含有Pr、Ce和Sm中的1种或者2种以上与Eu的合计为大于0.2质量%而在1质量%以下、余量包含Ag和不可避免杂质的组成。
3.光记录介质的半透明反射膜形成用Ag合金溅射靶,其特征在于,包含银合金,该银合金具有含有0.05~1质量%的Mg、0.2~0.5质量%的Eu、余量包含Ag和不可避免杂质的组成。
4.光记录介质的半透明反射膜形成用Ag合金溅射靶,其特征在于,包含银合金,该银合金具有含有0.05~1质量%的Mg、0.2~0.5质量%的Eu、进而含有Pr、Ce和Sm中的1种或者2种以上与Eu的合计为大于0.2质量%而在1质量%以下、余量包含Ag和不可避免杂质的组成。
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