[发明专利]等离子处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种等离子处理装置。

背景技术

以往，在半导体装置的制造领域等中，采用用于朝向半导体晶圆等基板以喷淋状供给气体的簇射头。即，例如在对半导体晶圆等基板实施等离子蚀刻处理的等离子处理装置中，在处理室内设有用于载置基板的载置台，与该载置台相对地设有簇射头。在该簇射头的与载置台相对的相对面上设有多个气体喷出孔，自这些气体喷出孔朝向基板以喷淋状供给气体。

在上述等离子处理装置中，为了使处理室内的气体流动均匀化，公知有从载置台的周围向下方排气的构造。另外，为了提高等离子处理的面内均匀性，还公知有除上述簇射头之外、还在载置台的基板周围的部分设有朝向基板供给气体的气体喷出部的等离子处理装置(例如参照专利文献1)。另外，也公知有构成为从簇射头的周围朝向处理室的上方排气的等离子处理装置(例如参照专利文献2)。

专利文献1：日本特开2006-344701号公报

专利文献2：日本专利第2662365号公报

在以上述以往的技术中，形成从载置台(基板)的周围向处理室的下方排气、或者从簇射头的周围朝向处理室的上方排气的构造。因此，存在如下问题：自簇射头供给来的气体形成从基板的中央部朝向周边部流动的气流，在基板的中央部和周边部，处理状态易于产生差异，处理的面内均匀性降低。另外，由于需要在载置台(基板)的周围或者簇射头的周围设置排气流路，因此，也存在如下问题：处理室内部的容积与收容的基板相比要大出许多，浪费的空间变多，难以谋求装置整体小型化。

发明内容

本发明即是应对上述以往情况而做成的，其目的在于提供一种与以往相比能够谋求提高处理的面内均匀性、并且能够削减处理室内的浪费空间来谋求装置小型化的等离子处理装置。

本发明等离子处理装置包括簇射头，该簇射头与用于载置基板的载置台相对地设置于处理室中，在该处理室的内部对上述基板进行处理，从设于该簇射头的与上述载置台相对的相对面上的多个气体喷出孔朝向上述基板以喷淋状供给气体，其特征在于，该等离子处理装置还包括：多个排气孔，其形成于上述相对面，用于进行排气；环状构件，其沿着上述载置台的周缘部分设置且能够上下移动，在环状构件处于上升位置时形成由上述载置台、上述簇射头和该环状构件围成的处理空间；多个环状构件侧气体喷出孔，其开口于上述环状构件的内壁部分，用于向上述处理空间内供给气体；多个环状构件侧排气孔，其开口于上述环状构件的内壁部分，用于对上述处理空间进行排气。

采用本发明，能够提供一种与以往相比能够谋求提高处理的面内均匀性、并且能够削减处理室内的浪费空间来谋求装置小型化的等离子处理装置。

附图说明

图1是表示本发明的一个实施方式的等离子处理装置的构造的纵剖视图。

图2是将图1的等离子处理装置的主要部分构造放大表示的纵剖视图。

图3是将图1的等离子处理装置的主要部分构造放大表示的纵剖视图。

图4是将图1的等离子处理装置的主要部分构造放大表示的纵剖视图。

图5是表示使图1的等离子处理装置的环状构件下降后的状态的纵剖视图。

具体实施方式

下面，参照附图详细说明本发明的实施方式。

图1是示意性地表示本发明的等离子处理装置的一个实施方式的等离子蚀刻装置200的截面构造的图，图2是示意性地表示设置于图1的等离子蚀刻装置200中的簇射头100的构造的剖视图。该等离子蚀刻装置200构成为电极板上下平行地相对、连接有等离子形成用电源(未图示)的电容耦合型平行平板等离子蚀刻装置。

如图2所示，簇射头100由层叠体10构成，该层叠体10是由下侧构件1和配置在该下侧构件1的上侧的上侧构件2这两张板状构件层叠而成的。这些下侧构件1及上侧构件2例如由对表面实施了阳极氧化处理后的铝等构成。如图1所示，该簇射头100以与用于载置半导体晶圆(基板)的载置台202相对的方式配设在等离子蚀刻装置200的处理室201中。即，以图2所示的下侧构件1侧形成与图1所示的载置台202相对的相对面14的方式配设。

在上述层叠体10中的、形成与载置台202相对的相对面14的下侧构件1中形成有许多个气体喷出孔11，在下侧构件1与上侧构件2之间形成有与这些气体喷出孔11连通的气体流路12。如图2中箭头所示，这些气体喷出孔11用于朝向基板(图2中下侧)以喷淋状供给气体。在层叠体10的周缘部还设有用于向气体流路12内导入气体的气体导入部12a