[发明专利]发光元件有效
申请号: | 201010282806.6 | 申请日: | 2010-09-13 |
公开(公告)号: | CN102024836A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 陈昭兴;许育宾 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L27/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 | ||
技术领域
本发明涉及一种发光元件,更具体而言,是涉及一种具有整流单元的发光元件。
背景技术
固态发光元件中的发光二极管元件(Light Emitting Diode;LED)具有低耗电量、低发热量、操作寿命长、耐撞击、体积小、反应速度快、以及可发出稳定波长的色光等良好光电特性,因此常应用于家电、仪表的指示灯及光电产品等领域。随着光电科技的进步,固态发光元件在提升发光效率、使用寿命以及亮度等方面已有长足的进步,预期能在不久的将来成为未来发光元件的主流。
然而,已知的LED必须以直流电(DC)驱动,所以一般在与交流电(AC)之间必须要有一个转换器,但转换器体积大、重量重,不但增加成本,在电力转换时亦多有耗损,在价格上更无法与现有的光源竞争。因此,如何在不需要AC/DC转换器的前提下以AC操作发光二极管,仍为重要发展课题。
发明内容
本发明提出具有整流单元的发光元件。发光元件包含基板及多个整流单元。多个整流单元包含第一整流单元及第二整流单元,且形成在基板上以接收交流信号并将其调整为直流信号。每一个整流单元包含接触层及肖特基金属层。发光元件还包含多个发光二极管,接收上述直流信号;及第一电极,形成在基板上且覆盖第一整流元件的接触层和第二整流元件的肖特基金属层。
附图说明
图1为本发明所披露的发光元件的电路图。
图2为本发明所披露的发光元件的俯视图。
图3为本发明所披露的发光元件的两个发光二极管的剖面图,其为图2的A-A’剖面。
图4A为本发明所披露的发光元件的第一整流结构的剖面图,其为图2的B-B’剖面。
图4B为本发明所披露的发光元件的第二整流结构的剖面图,其为图2的C-C’剖面。
图4C显示本发明所披露的发光元件中,第一、第二整流结构与多个发光二极管间的连接图。
附图标记说明
100:发光元件
110:发光二极管芯片
111:共同基板
112、112-1、112-2:发光二极管
113:沟槽
114:n型半导体导电层
1141:曝露区
115:n侧接触层
116:肖特基金属层
1171:n型半导体披覆层
1172:有源层
1173:p型半导体披覆层
118:绝缘层
119:p侧接触层
120:第一连接层
120′:第二连接层
120″:第三连接层
130:第一整流单元
140:第二整流单元
150:第三整流单元
160:第四整流单元
170:第一整流结构
171:第一电极
180:第二整流结构
181:第二电极
具体实施方式
图1显示本发明所披露的发光元件100的电路图。发光元件100包含多个发光二极管112;第一、第二、第三和第四整流单元130、140、150、160;第一电极及第二电极171、181。发光二极管112彼此串联连接以形成发光群组110。整流单元130、140、150、160与发光群组110以全波桥式整流结构的方式连接,例如惠斯通电桥结构。第一电极171与第一和第二整流单元130、140连接,而第二电极181与第三和第四整流单元150、160连接。在交流电的正循环中,交流电供应器的正极提供电流给发光元件100且电流流经第一电极171、第一整流单元130、发光群组110、第三整流单元150至第二电极181及交流电供应器的负极。相反地,在交流电的负循环中,交流电供应器的负极提供电流给发光元件100且电流流经第二电极181、第四整流单元160、发光群组110、第二整流单元140至第一电极171和交流电供应器的正极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的