[发明专利]参考电压发生器、集成电路以及操作参考电压发生器的方法

说明书

相关申请的交叉参考 

本申请要求于2009年9月24日提交的美国临时专利申请序列号为61/245,476的优先权，其全部内容结合于此作为参考。 

技术领域

本发明总的来说涉及半导体电路领域，更具体地，涉及参考电压发生器、集成电路以及操作参考电压发生器的方法。 

背景技术

无线通信设备和服务在近些年激增。对个人通信业务(包括蜂窝电话(模拟和数字)、寻呼以及出现的所谓个人通信业务(PCS))的可购性和方便访问推动了全球移动通信工业的持续发展。众多其他无线应用和领域都显示了对包括无线电频率识别(RFID)、各种基于卫星的通信、个人助理、局域网、设备便携性等的持续增长的希望。 

RFID已经被用于各种应用，例如，自动运输系统、身份证、银行卡等。还通过结合到动物或人体中进行应用，以用于跟踪和/或识别。跟踪和/或识别可以通过射频波来完成。RFID通常由与天线连接的集成电路构成。天线可以发送和接收信号。集成电路可以储存和/或处理信号承载的信息。 

发明内容

根据本发明的第一方面，提供了一种参考电压发生器，包括：正比于绝对温度(PTAT)的电流源，PTAT电流源能够提供与温度成正比的第一电流；以及分压器，分压器能够接收与第一电流成正比的第二电流，分压器 能够输出参考电压，参考电压基本与温度的变化无关。 

优选地，参考电压包括第一电压和第二电压，第一电压包括第二电流作为第一因子，第二电压包括分压器的第一晶体管的阈值电压作为第二因子，并且第一电压响应于温度变化的变化能够基本上由第二电压响应于温度变化的变化来补偿。 

优选地，分压器包括第二晶体管，并且第二晶体管的栅极与第一晶体管的栅极和分压器的输出端相连。 

优选地，第一晶体管是NMOS晶体管，第二晶体管是PMOS晶体管，并且PMOS晶体管两端的压降约为NMOS晶体管两端的压降的两倍。 

此外，该参考电压发生器还包括：第三晶体管，其中，第三晶体管与电流镜电路相连，并且第三晶体管的栅极与PTAT电流源相连。 

优选地，第三晶体管的栅极上的电压转换能够基本上跟随电流镜电路的输入端上的电压转换。 

优选地，第三晶体管的栅极上的电压转换能够导通用于触发第一电流的晶体管。 

优选地，PTAT电流源能够向第三晶体管的栅极提供负电压反馈，以下拉第三晶体管的栅极上的电压状态。 

根据本发明的另一方面，提供了一种集成电路，包括：电压调节器；以及参考电压发生器，与电压调节器相连，参考电压发生器包括：正比于绝对温度(PTAT)的电流源，PTAT电流源能够提供与温度成正比的第一电流；和分压器，分压器能够接收与第一电流成正比的第二电流，分压器能够输出参考电压，参考电压基本上与温度的变化无关。 

优选地，参考电压包括第一电压和第二电压，第一电压包括第二电流作为第一因子，第二电压包括分压器的第一晶体管的阈值电压作为第二因子，并且第一电压响应于温度变化的变化能够基本上由第二电压响应于温度变化的变化来补偿。 

优选地，分压器包括第二晶体管，第二晶体管的栅极与第一晶体管的栅极和分压器的输出端相连。 

优选地，第一晶体管是NMOS晶体管，第二晶体管是PMOS晶体管， 并且PMOS晶体管两端的压降约为NMOS晶体管两端的压降的两倍。 

优选地，参考电压发生器还包括：电流镜电路，与PTAT电流源和分压器相连。 

此外，该参考电压发生器还包括：第三晶体管，第三晶体管与电流镜电路相连，第三晶体管的栅极与PTAT电流源相连。 

优选地，第三晶体管的栅极上的电压转换能够基本上跟随电流镜电路的输入端的电压转换，用于导通触发第一电流的第三晶体管。 

优选地，PTAT电流源能够向第三晶体管的栅极提供负电压反馈，以下拉第三晶体管的栅极上的电压状态。 

根据本发明的再一方面，提供了一种操作用于提供参考电压的参考电压发生器的方法，该方法包括：通过分压器提供正比于温度的电流；以及从分压器提供参考电压，参考电压基本上与温度的变化无关。 

优选地，参考电压包括第一电压和第二电压，第一电压包括电流作为第一因子，第二电压包括分压器的第一晶体管的阈值电压作为第二因子，并且第一电压响应于温度变化的变化能够基本上由第二电压响应于温度变化的变化来补偿。