[发明专利]参考电压发生器、集成电路以及操作参考电压发生器的方法

权利要求书

1.一种参考电压发生器，包括：

正比于绝对温度(PTAT)的电流源，所述PTAT电流源能够提供与温度成正比的第一电流；以及

分压器，所述分压器能够接收与所述第一电流成正比的第二电流，所述分压器能够输出参考电压，所述参考电压基本与温度的变化无关。

2.根据权利要求1所述的参考电压发生器，其中，所述参考电压包括第一电压和第二电压，所述第一电压包括所述第二电流作为第一因子，所述第二电压包括所述分压器的第一晶体管的阈值电压作为第二因子，并且所述第一电压响应于温度变化的变化能够基本上由所述第二电压响应于温度变化的变化来补偿，

其中，所述分压器包括第二晶体管，并且所述第二晶体管的栅极与所述第一晶体管的栅极和所述分压器的输出端相连，

其中，所述第一晶体管是NMOS晶体管，所述第二晶体管是PMOS晶体管，并且PMOS晶体管两端的压降约为所述NMOS晶体管两端的压降的两倍。

3.根据权利要求1所述的参考电压发生器，还包括：电流镜电路，与所述PTAT电流源和所述分压器相连，

其中，所述参考电压发生器还包括：第三晶体管，其中，所述第三晶体管与所述电流镜电路相连，并且所述第三晶体管的栅极与所述PTAT电流源相连，

其中，所述第三晶体管的栅极上的电压转换能够基本上跟随所述电流镜电路的输入端上的电压转换，

其中，所述第三晶体管的栅极上的电压转换能够导通用于触发所述第一电流的晶体管，

其中，所述PTAT电流源能够向所述第三晶体管的栅极提供负电压反馈，以下拉所述第三晶体管的栅极上的电压状态。

4.一种集成电路，包括：

电压调节器；以及

参考电压发生器，与所述电压调节器相连，所述参考电压发生器包括：

正比于绝对温度(PTAT)的电流源，所述PTAT电流源能够提供与温度成正比的第一电流；和

分压器，所述分压器能够接收与所述第一电流成正比的第二电流，所述分压器能够输出参考电压，所述参考电压基本上与温度的变化无关。

5.根据权利要求4所述的集成电路，其中，所述参考电压包括第一电压和第二电压，所述第一电压包括所述第二电流作为第一因子，所述第二电压包括所述分压器的第一晶体管的阈值电压作为第二因子，并且所述第一电压响应于温度变化的变化能够基本上由所述第二电压响应于温度变化的变化来补偿。

6.根据权利要求4所述的集成电路，其中，所述分压器包括第二晶体管，所述第二晶体管的栅极与所述第一晶体管的栅极和所述分压器的输出端相连，

其中，所述第一晶体管是NMOS晶体管，所述第二晶体管是PMOS晶体管，并且所述PMOS晶体管两端的压降约为所述NMOS晶体管两端的压降的两倍。

7.根据权利要求4所述的集成电路，其中，所述参考电压发生器还包括：电流镜电路，与所述PTAT电流源和所述分压器相连，

其中，所述参考电压发生器还包括：第三晶体管，所述第三晶体管与所述电流镜电路相连，所述第三晶体管的栅极与所述PTAT电流源相连，

其中，所述第三晶体管的栅极上的电压转换能够基本上跟随所述电流镜电路的输入端的电压转换，用于导通触发所述第一电流的所述第三晶体管，

其中，所述PTAT电流源能够向所述第三晶体管的栅极提供负电压反馈，以下拉所述第三晶体管的栅极上的电压状态。

8.一种操作用于提供参考电压的参考电压发生器的方法，所述方法包括：

通过分压器提供正比于温度的电流；以及

从所述分压器提供参考电压，所述参考电压基本上与温度的变化无关。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述参考电压包括第一电压和第二电压，所述第一电压包括所述电流作为第一因子，所述第二电压包括所述分压器的第一晶体管的阈值电压作为第二因子，并且所述第一电压响应于温度变化的变化能够基本上由所述第二电压响应于所述温度变化的变化来补偿。

10.根据权利要求8所述的方法，还包括：

通过基本上跟随用于触发所述电流的所述电流镜电路的输入端上的电压状态的升高来升高晶体管的栅极上的电压状态，其中，所述晶体管与所述参考电压发生器的所述电流镜电路相连；以及

提供负电压反馈给所述晶体管的栅极，以下拉所述晶体管的栅极上的所述电压状态，使得所述参考电压发生器在稳定状态下操作。