[发明专利]光电装置及其制造方法

权利要求书

1.一种光电装置的制造方法，该制造方法包括以下步骤：

在基板上形成第一电极；

在所述第一电极上形成将光能转换成电能的第一单元电池；

在所述第一单元电池上形成排列有金属纳米粒子的中间反射膜；以及

在所述中间反射膜上形成将光能转换成电能的第二单元电池。

2.根据权利要求1所述的光电装置的制造方法，其特征在于：所述第一单元电池和第二单元电池包括p型半导体层、纯半导体层、n型半导体层。

3.根据权利要求1所述的光电装置的制造方法，其特征在于：所述金属纳米粒子的排列是通过真空沉积法或常温排列法来形成。

4.根据权利要求1所述的光电装置的制造方法，其特征在于：

形成排列有所述金属纳米粒子的中间反射膜的步骤包括下述步骤：

在所述第一单元电池上形成金属氧化膜、氧化膜、氮化膜或者碳合金；

在所述金属氧化膜、氧化膜、氮化膜或者碳合金上排列所述金属纳米粒子；且

使另外的金属氧化膜、氧化膜、氮化膜或者碳合金按照能够覆盖所述纳米粒子的方式形成。

5.根据权利要求1所述的光电装置的制造方法，其特征在于：

形成排列有所述金属纳米粒子的中间反射膜的步骤包括下述步骤：

在所述第一单元电池上排列所述金属纳米粒子；

使金属氧化膜、氧化膜、氮化膜或者碳合金按照能够覆盖所述纳米粒子的方式形成。

6.根据权利要求1、4、5中任一项所述的光电装置的制造方法，其特征在于：还包括在所述中间反射膜上掺杂杂质的步骤。

7.一种光电装置，其包括：

第一电极，位于基板上；

第一单元电池，位于所述第一电极，且将光能转换成电能；

中间反射膜，位于所述第一单元电池上，且排列有金属纳米粒子；

第二单元电池，位于所述中间反射膜上，且将光能转换成电能。

8.根据权利要求7所述的光电装置，其特征在于：所述第一单元电池和所述第二单元电池包括p型半导体层、纯半导体层、n型半导体层。

9.根据权利要求7所述的光电装置，其特征在于：所述中间反射膜包括嵌入有所述金属纳米粒子的金属氧化膜、氧化膜、氮化膜或者碳合金。

10.根据权利要求7所述的光电装置，其特征在于：所述金属纳米粒子包括金、银、铝、铂、铜、镍、铬、锌、钛、锡其中的至少一种。

11.根据权利要求7所述的光电装置，其特征在于：所述金属纳米粒子包括金属氧化物。

12.根据权利要求7所述的光电装置，其特征在于：在500nm至700nm的波长内，所述中间反射膜的折射率为1.7至2.2。

13.根据权利要求7所述的光电装置，其特征在于：所述金属纳米粒子的直径为5nm至100nm。

14.根据权利要求7或者8所述的光电装置，其特征在于：在所述中间反射膜内掺杂有杂质。

15.根据权利要求7所述的光电装置，其特征在于：所述中间反射膜包括氢化n型氧化硅、氢化n型碳化硅或者氢化n型氮化硅。

16.根据权利要求7所述的光电装置，其特征在于：所述中间反射膜包括氢化n型纳米晶氧化硅、氢化n型纳米晶碳化硅或者氢化n型纳米晶氮化硅。

17.根据权利要求7所述的光电装置，其特征在于：所述中间反射膜的厚度为30nm至2000nm。

18.根据权利要求7所述的光电装置，其特征在于：所述金属纳米粒子的平面填充率为0.1％至10％。

19.根据权利要求7所述的光电装置，其特征在于：所述光电装置的太阳能电池额定工作温度为35℃以上时，所述第一单元电池和所述第二单元电池中，离光入射一侧近的单元电池的短路电流比另一个单元电池的短路电流小或者相同。

20.根据权利要求7所述的光电装置，其特征在于：所述光电装置的太阳能电池额定工作温度低于35℃时，所述第一单元电池和所述第二单元电池中，离光入射一侧近的单元电池的短路电流比另一个单元电池的短路电流大或者相同。