[发明专利]检测装置

权利要求书

1.一种检测装置，用于检测芯片的外接电容，所述芯片包括与外接电容相连的工作单元，其特征在于，所述检测装置包括控制单元、检测单元、比较单元、传输单元和判断单元，其中，

控制单元，用于使外接电容第一电极和第二电极与工作单元断开，并使外接电容第二电极接地；

充放电单元，连接于外接电容的第一电极，用于对外接电容进行放电和充电；比较单元，设置有电压高阈值和电压低阈值，用于比较外接电容第一电极的电压与电压高阈值的相对大小，获得第一比较结果；还用于比较外接电容第一电极的电压与电压低阈值的相对大小，获得第二比较结果；

传输单元，用于将比较单元输出的第一比较结果和第二比较结果发送至判断单元；

判断单元，用于根据所述第一比较结果和第二比较结果判断外接电容与外接电容目标值的相对大小。

2.如权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述芯片还包括用于向检测装置输出使能信号的控制装置；控制单元包括第一控制信号产生器、第二控制信号产生器、充电信号产生器；其中，

第一控制信号产生器用于根据芯片的控制装置发出的使能信号产生第一控制信号；充放电单元接收所述第一控制信号，对外接电容放电；传输单元接收所述第一控制信号，传输第一比较结果至判断单元；

第二控制信号产生器用于根据第一控制信号产生第二控制信号，传输单元接收所述第二控制信号，传输第二比较结果至判断单元；

充电信号产生器用于根据第二控制信号产生充电信号，控制充放电单元接收所述充电信号，对外接电容充电。

3.如权利要求2所述的检测装置，其特征在于，所述控制单元包括清空信号产生器，用于根据芯片控制装置发出的使能信号和第二控制信号产生清空信号，所述清空信号用于在充放电单元对外接电容进行放电或充电之前清空比较单元的原有数据。

4.如权利要求2所述的检测装置，其特征在于，所述外接电容的第一电极与芯片内工作电路及充放电单元相连，第二电极经芯片内工作电路接地；所述工作电路至少包括第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管和第二NMOS管，其中第二PMOS管的漏极、第三PMOS管的源极均与外接电容的第一电极相连；第四PMOS管的漏极、第二NMOS管的漏极均连接于外接电容的第二电极，第二NMOS管的源极连接于地端；第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管和第二NMOS管的栅极均连接于一与非门的输出端，所述与非门的一输入端用于接收控制单元的连接信号；所述控制单元还用于产生连接信号，所述连接信号反相于第二控制信号，用于控制第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管和第二NMOS管的导通或关闭。

5.如权利要求4所述的检测装置，其特征在于，所述第一控制信号产生器包括第一反相器、第二反相器、第三反相器和第一电容，所述第一反相器、第二反相器、第三反相器串联，所述第一电容的第一电极连接于第一反相器和第二反相器之间，所述第一电容的第二电极接地，所述第一反相器用于接收使能信号，所述第三反相器用于输出第一控制信号。

6.如权利要求5所述的检测装置，其特征在于，所述第二控制信号产生器包括第四反相器、第五反相器、第六反相器、第七反相器和第二电容，所述第四反相器、第五反相器、第六反相器、第七反相器串联，所述第二电容的第一电极连接于第五反相器和第六反相器之间，所述第二电容的第二电极接地，所述第四反相器用于接收第一控制信号，所述第其反相器用于输出第二控制信号。

7.如权利要求6所述的检测装置，其特征在于，所述充电信号产生器包括或非门和连接于所述或非门的第八反相器，所述或非门包括第一输入端和第二输入端，所述第一输入端用于接收第一控制信号，所述第二输入端用于接收第二控制信号的反相信号，所述第八反相器用于输出充电信号。

8.如权利要求7所述的检测装置，其特征在于，所述清空信号产生器，包括第九反相器和连接于第九反相器的与非门，所述第九反相器用于接收第二控制信号的反相信号，将所述第二控制信号的反相信号反相处理后输入到与非门的第一输入端，所述与非门的第二输入端用于接收使能信号。