[发明专利]溅射系统

说明书

本申请要求于2010年1月11日提交到韩国知识产权局的第10-2010-0002243号韩国专利申请的利益，其公开通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明总体上涉及一种溅射系统(sputtering system)，更具体地将，涉及一种被配置为实现均匀溅射和沉积的溅射系统。

背景技术

有多种溅射方法用于形成无机层，诸如金属层、透明传导层等。在这些溅射方法中，稀有气体(诸如氩(Ar)气)被引入到真空容器中，大于150V的射频(RF)电压或直流(DC)电压被提供到包括溅射沉积材料板的阴极，并且通过气体的缓慢释放来形成层。

在制造平板显示(FPD)装置(诸如形成薄膜晶体管(TFT)液晶显示(LCD)装置或有机电致发光显示装置)或各种其它电子装置期间，在层形成工艺中通常使用溅射方法。这些溅射方法被分类为干法技术，具有广泛的应用范围。

当对例如用于等离子源的惰性气体(诸如Ar)进行电离时，沉积材料板的表面被加压，并且当材料蒸发时，会发生反射。另外，当氧化物类材料被溅射时，具有大能量的氧气阴离子或其它分子由于来自阴极的强排斥力而到达沉积基底。在这些溅射方法中，粒子处于几eV或更大的高能量状态。当具有大动能的粒子到达沉积基底时，沉积基底的表面会被损坏，或者形成在基底的表面上的薄膜会被溅射。

例如，当无机层被溅射在有机层上，以形成有机电致发光显示装置的上电极或有机薄膜晶体管的电极时，在溅射工艺中产生的具有100eV或更大的高能量的粒子与有机层碰撞，并损坏有机层。

为了减小对有机层的这种损坏，一些现有的系统和工艺尝试通过将具有预定电势的栅格(grid)布置在沉积材料板和沉积基底之间来拦截离子的通路。其它的现有的系统和工艺尝试通过将偏置电压施加到沉积基底来最小化等离子效应；这些系统不能完全消除等离子效应。

发明内容

本发明的实施例提供一种溅射系统，其中，在多个基底上有效并同时沉积薄膜。

在所公开的溅射系统的实施例中，具有高能量的粒子不与基底碰撞，由此防止对形成在基底上的薄膜层(诸如有机层)造成损坏。

一方面在于提供一种溅射系统，该溅射系统包括第一溅射单元、第二溅射单元、第一气体供应管、第二气体供应管、第一基底支撑单元、第二基底支撑单元。第一溅射单元包括：第一沉积材料板；第二沉积材料板，其中，第一沉积材料板和第二沉积材料板彼此面对；磁场产生器，布置在第一沉积材料板和第二沉积材料板中的每个的后面，用于产生磁场。第二溅射单元包括：第三沉积材料板，被布置为靠近第一沉积材料板；第四沉积材料板，被布置为靠近第二沉积材料板，其中，第三沉积材料板和第四沉积材料板彼此面对；磁场产生器，布置在第三沉积材料板和第四沉积材料板中的每个的后面，用于产生磁场。第一气体供应管布置在第一沉积材料板和第三沉积材料板之间，用于将气体排放到第二沉积材料板和第四沉积材料板。第二气体供应管布置在第二沉积材料板和第四沉积材料板之间，用于将气体排放到第一沉积材料板和第三沉积材料板。第一基底支撑单元朝向第一沉积材料板和第二沉积材料板的外边缘，用于支撑第一沉积基底。第二基底支撑单元朝向第三沉积材料板和第四沉积材料板的外边缘，用于支撑第二沉积基底。