[发明专利]用于边缘场开关模式液晶显示器件的阵列基板及其制造方法

说明书

本申请要求2009年10月6日提交的韩国专利申请No.2009-0094694的优先权，通过援引将该专利申请结合在此。

技术领域

本发明涉及一种用于边缘场开关(FFS)模式液晶显示(LCD)器件的阵列基板，尤其涉及一种能将像素电极与数据线之间的寄生电容最小化的用于FFS模式LCD器件的阵列基板以及能降低生产成本的制造该阵列基板的方法。

背景技术

现有技术的液晶显示(LCD)器件使用液晶分子的光学各向异性和偏振特性。液晶分子由于其细而长的形状而具有明确的定向(alignment)方向。可通过对这些液晶分子施加一电场来控制液晶分子的定向方向。换句话说，随着电场的强度或方向变化，液晶分子的定向也变化。由于液晶分子的光学各向异性，入射光根据液晶分子的取向而被折射，因此可通过控制光透过率(transmissivity)来显示图像。

由于被称作有源矩阵LCD(AM-LCD)器件的、包括作为开关元件的薄膜晶体管(TFT)的LCD器件具有高分辨率和显示运动图像的出色特性，AM-LCD器件已被广泛使用。

AM-LCD器件包括阵列基板、滤色器(color filter)基板和夹在它们之间的液晶层。阵列基板可包括像素电极和TFT，滤色器基板可包括滤色器层和公共电极。AM-LCD器件由像素电极与公共电极之间的电场驱动，从而具有出色的透过率和孔径比(aperture ratio)特性。然而，由于AM-LCD器件使用垂直电场，所以AM-LCD器件具有不好的视角。

可使用共平面开关(IPS)模式LCD器件来克服上述局限性。图1是根据现有技术的IPS模式LCD器件的剖面图。如图1中所示，阵列基板和滤色器基板彼此分开且相互面对。阵列基板包括第一基板10、公共电极17和像素电极30。尽管没有示出，但阵列基板可包括TFT、栅线、和数据线等等。滤色器基板包括第二基板9、和滤色器层(没有示出)等等。液晶层11置于第一基板10与第二基板9之间。由于公共电极17和像素电极30形成在第一基板10上并形成在同一平面(level)，因此在公共电极17与像素电极30之间产生水平电场“L”。

图2A和2B是显示根据现有技术的IPS模式LCD器件的开/关情形的剖面图。如图2A中所示，当电压施加给IPS模式LCD器件时，公共电极17和像素电极30上方的液晶分子11a不变。但公共电极17与像素电极30之间的液晶分子11b由于水平电场“L”的缘故而水平排列。由于液晶分子由该水平电场排列，所以IPS模式LCD器件具有宽视角的特性。图2B显示了电压未施加给IPS模式LCD器件时的情形。因为在公共电极与像素电极17和30之间未产生电场，所以液晶分子11的排列不变。

已经提出了具有额外优点的边缘场开关(FFS)模式LCD器件。图3是显示根据现有技术的用于FFS模式LCD器件的阵列基板的一个像素区域的平面图，图4是沿图3的线IV-IV截取的剖面图。

参照图3和4，在阵列基板50的基板51上沿第一方向形成有栅线60、和沿第二方向形成有与栅线60交叉以限定像素区域P的数据线70。在栅线60和数据线70的交叉部分处形成有包括栅极62、栅绝缘层64、半导体层66、源极72和漏极74的薄膜晶体管(TFT)Tr。TFT Tr设置在像素区域P中限定的开关区域TrA中。TFT Tr与栅线60和数据线70连接。就是说，栅极62与栅线60连接，而源极72与数据线70连接。半导体层66包括本征非晶硅的有源层66a和掺杂(impurity-doped)非晶硅的欧姆接触层66b。

此外，在像素区域P中形成有与TFT Tr的漏极74连接的像素电极76。在像素电极76和TFT Tr上设置有作为绝缘层的钝化层80。在钝化层80上设置有具有板形的公共电极90。公共电极90包括多个狭缝形的孔92。孔92与像素电极76交叠。像素电极76覆盖像素区域P，而公共电极90覆盖基板51的整个表面。

通过施加给像素电极76和公共电极90的电压，在像素电极76与公共电极90之间产生边缘场，从而由边缘场驱动液晶分子。

如图4中所示，在现有技术的FFS模式LCD器件中，像素电极76更靠近数据线70设置，从而在像素电极76与数据线70之间产生寄生电容。由该寄生电容产生了一些问题，即，闪烁现象(flicker phenomenon)。尤其是，当增加像素电极76的尺寸以提高孔径比时，因为像素电极76与数据线70之间的距离进一步减小，所以问题更加严重。

发明内容