[发明专利]用于金属基底的半水性剥离和清洁制剂及其使用方法

权利要求书

1.一种半水性剥离和清洁制剂，包括：

a.链烷醇胺；

b.水可混溶的有机共溶剂；

c.季铵化合物；

d.非游离酸官能团缓蚀剂；和

e.水；

其中所述制剂的pH大于9。

2.如权利要求1所述的制剂，其中所述链烷醇胺选自单乙醇胺、N-甲基乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、二乙基羟胺及其混合物；所述水可混溶的有机共溶剂选自二醇醚和糠醇；且所述链烷醇胺和所述水可混溶的有机共溶剂的总重量百分比为1重量％-50重量％。

3.如权利要求1所述的制剂，其中所述水可混溶的有机共溶剂选自丙二醇(PG)、一缩二丙二醇甲基醚(DPM)、二缩三丙二醇甲基醚(t-PGME)、丙二醇甲醚(PGME)、丙二醇丙醚(PGPE)、三(丙二醇)单甲醚、2-(2-丁氧乙氧基)乙醇、四氢糠醇(THFA)及其混合物。

4.如权利要求1所述的制剂，其中所述季铵化合物为0.5重量％-10重量％，且选自氢氧化四甲铵(TMAH)、氢氧化四乙铵、氢氧化四丁铵(TBAH)、氢氧化四丙铵、氢氧化三甲基乙基铵、氢氧化(2-羟乙基)三甲基铵、氢氧化(2-羟乙基)三乙基铵、氢氧化(2-羟乙基)三丙基铵、氢氧化(1-羟丙基)三甲基铵、氢氧化乙基三甲基铵、氢氧化二乙基二甲基铵、氢氧化苄基三甲基铵及其混合物。

5.如权利要求1所述的制剂，其中所述缓蚀剂为0.5重量％-15重量％，且选自儿茶酚、叔丁基儿茶酚、连苯三酚、没食子酸酯及其混合物。

6.一种半水性剥离和清洁制剂，包括：

a.选自单乙醇胺、N-甲基乙醇胺及其混合物的链烷醇胺；

b.选自丙二醇(PG)、一缩二丙二醇甲基醚(DPM)、二缩三丙二醇甲基醚(t-PGME)、四氢糠醇(THFA)及其混合物的水可混溶的有机共溶剂；

c.0.5重量％-10重量％的选自氢氧化四甲铵(TMAH)、氢氧化四乙铵、氢氧化四丁铵(TBAH)及其混合物的季铵化合物；

d.0.5重量％-15重量％的选自叔丁基儿茶酚、连苯三酚及其混合物的缓蚀剂；

e.剩余物水；

其中所述链烷醇胺和所述水可混溶的有机共溶剂的总重量百分比为5重量％-40重量％，且所述制剂的pH大于9。

7.如权利要求6所述的制剂，其中所述水可混溶的有机共溶剂为一缩二丙二醇甲基醚(DPM)。

8.一种从半导体基底除去光致抗蚀剂、蚀刻或灰化残留物以及污染物的方法，包括：

将半导体基底与制剂接触，所述制剂包括：

a.链烷醇胺；

b.水可混溶的有机共溶剂；

c.季铵化合物；

d.非游离酸官能团缓蚀剂；和

e.水；

其中所述制剂的pH大于9。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述链烷醇胺选自单乙醇胺、N-甲基乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、二乙基羟胺及其混合物；所述水可混溶的有机共溶剂选自二醇醚和糠醇；且所述链烷醇胺和所述水可混溶的有机共溶剂的总重量百分比为5重量％-40重量％。

10.如权利要求8所述的方法，其中所述水可混溶的有机共溶剂选自丙二醇(PG)、一缩二丙二醇甲基醚(DPM)、二缩三丙二醇甲基醚(t-PGME)、丙二醇甲醚(PGME)、丙二醇丙醚(PGPE)、三(丙二醇)单甲醚、2-(2-丁氧乙氧基)乙醇、四氢糠醇(THFA)及其混合物。

11.如权利要求8所述的方法，其中所述季铵化合物为0.5重量％-10重量％，且选自氢氧化四甲铵(TMAH)、氢氧化四乙铵、氢氧化四丁铵(TBAH)、氢氧化四丙铵、氢氧化三甲基乙基铵、氢氧化(2-羟乙基)三甲基铵、氢氧化(2-羟乙基)三乙基铵、氢氧化(2-羟乙基)三丙基铵、氢氧化(1-羟丙基)三甲基铵、氢氧化乙基三甲基铵、氢氧化二乙基二甲基铵、氢氧化苄基三甲基铵及其混合物。

12.如权利要求8所述的方法，其中所述缓蚀剂为0.5重量％-15重量％，且选自儿茶酚、叔丁基儿茶酚、连苯三酚、没食子酸酯及其混合物。