[发明专利]发光元件

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光元件，尤其是涉及一种具有可增进电性效能的电极结构的发光元件。

背景技术

目前发光二极管普遍有电流扩散不佳的问题，就p型半导体层在上的发光二极管而言，发光层上形成有一p型半导体层，而p型半导体层上可设有一电极垫以导入电流。目前增进电流扩散的方式多为在p型半导体层上形成一例如以金属氧化物或磷化镓为材料的电流扩散层，再在电流扩散层上设置电极垫，而进一步地可再由电极垫延伸出一或多个的延伸电极以更增进电流的分布。

然而设置延伸电极将会对于发光二极管的出光造成不良的影响。由于延伸电极为金属材质，会产生吸光或遮光的现象。反之，若延伸电极与半导体层的接触面积不够，顺向电压(forward voltage，V_f)将会升高，而使得发光二极管的效能降低。

以上发光二极管可进一步结合一次载体(sub-mount)而形成一发光装置，所述发光装置包含一具有至少一电路的次载体；至少一焊料(solder)位于上述次载体上，通过此焊料将上述发光二极管粘结固定于次载体上并使发光二极管的基板与次载体上的电路形成电连接；以及，一电连接结构，以电连接发光二极管的电极垫与次载体上的电路；其中，上述的次载体可以是导线架(lead frame)或大尺寸镶嵌基底(mounting substrate)，以方便发光装置的电路规划并提高其散热效果。

发明内容

本发明的目的在于提供一种发光元件，其具有可分散电流并促进出光效率的电极结构。

本发明的发光元件包括：一基板；一第一半导体层形成于基板上；一发光层形成于第一半导体层上；一第二半导体层形成于发光层上，其中第二半导体层表面形成有至少一凹部；以及一金属电极，形成于第二半导体层上且具有一主电极、及由主电极延伸而出的至少一第一延伸电极，其中第一延伸电极顺应凹部的表面形成。

依据本发明的一实施例，凹部可包括一沟槽或多条平行并列的沟槽，而每一沟槽具有一底侧及两侧壁。

依据本发明的一实施例，第一延伸电极与所述沟槽垂直相交。

依据本发明的一实施例，第一延伸电极可在所述沟槽的侧壁上复延伸出第二延伸电极。

依据本发明的一实施例，凹部可包括一或多个间隔形成的凹洞，每一凹洞具有一底侧及呈环绕状的侧壁。

附图说明

图1A为本发明发光元件的第一实施例侧视剖面示意图；

图1B及图1C分别为本发明发光元件的第一实施例不同凹部形式的上视图；

图2A及图2B为本发明发光元件的第二实施例侧视剖面示意图；

图3为本发明发光元件的第三实施例侧视剖面示意图；

图4A及图4B为本发明发光元件的第四实施例上视图；以及

图5为本发明发光元件的第五实施例侧视剖面示意图。

主要元件符号说明

发光元件100，200，300，400，500；

基板102，202，302；

第一半导体层104，204，304；

发光层106，206，306；

第二半导体层108，208，308，408；

凹部101，201，301，401，501；

金属电极105，205，305，405，505，112，212，312，412，512；

主电极110，210，310，410，510；

底侧101a，201a，301a，401a；

侧壁101b，201b，301b，401b；

第一延伸电极109，209，309，409，509；

第二延伸电极411；

透明导电层203

具体实施方式

请参阅图1A，本发明的第一实施例揭示一发光元件100，包括：一基板102；一第一半导体层104形成于基板102上，且第一半导体层104裸露的表面上形成有一金属电极112；一发光层106形成于第一半导体层104上；一第二半导体层108形成于发光层106上，且第二半导体层108表面形成有一凹部101；以及一金属电极105，形成于第二半导体层108上，包括一主电极110及至少由主电极110延伸而出的一第一延伸电极109，其中第一延伸电极109顺应凹部101的表面形成，增加了第一延伸电极109与第二半导体层108接触的面积。