[发明专利]发光元件

权利要求书

1.一种发光元件，包括：

基板；

第一半导体层，形成于该基板上；

发光层，形成于该第一半导体层上；

第二半导体层，形成于该发光层上，该第二半导体层表面形成一凹部；以及

金属电极，形成于该第二半导体层上，包括一主电极及延伸于该主电极的至少一第一延伸电极；

其中该第一延伸电极顺应该凹部的表面形成。

2.如权利要求1所述的发光元件，其中该凹部包括形成于该第二半导体层上的沟槽及/或凹洞。

3.如权利要求2所述的发光元件，其中该凹部为该沟槽时，具有呈长条状的底侧及两相对侧壁；该凹部为该凹洞时，具有底侧及环绕的侧壁。

4.如权利要求3所述的发光元件，其中该第一延伸电极还包含第二延伸电极形成于该两相对侧壁至少其中之一的表面上。

5.如权利要求2或3所述的发光元件，其中该沟槽的两侧壁垂直于该底侧，及/或该凹洞的该侧壁垂直于该底侧。

6.如权利要求1所述的发光元件，包括透明导电层，形成于该第二半导体层与该金属电极间。

7.如权利要求6所述的发光元件，该透明导电层形成于除凹部以外的第二半导体层上，而该第一延伸电极直接与凹部的底侧及侧壁接触。

8.如权利要求6所述的发光元件，其中该透明导电层包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟(InO)、氧化锡(SnO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锑锡(ATO)、氧化锌铝(AZO)、氧化锌锡(ZTO)或氧化锌(ZnO)的金属氧化物，或砷镓化铝(AlGaAs)或磷化镓(GaP)的半导体化合物。

9.如权利要求1所述的发光元件，该主电极也形成于该凹部上，而令该凹部被该主电极的材料所填充。

10.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一半导体层、第二半导体、及发光层所构成的发光叠层的半导体化合物包含至少一种元素选自于由铝(A1)、镓(Ga)、铟(In)、氮(N)、磷(P)及砷(As)所构成的群组。

11.如权利要求1所述的发光元件，其中该凹部包括多条平行并列的沟槽及/或多个间隔形成的凹洞。

12.如权利要求1或11所述的发光元件，其中该延伸电极与该凹部垂直相交。