[发明专利]可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构有效
| 申请号： | 201010231661.7 | 申请日： | 2010-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101916779A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 程新红;何大伟;王中健;徐大伟;宋朝瑞;俞跃辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/762;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 王松 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 完全 消除 衬底 辅助 耗尽 效应 soi ldmos 结构 | ||
1.一种可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构，其特征在于，所述结构包括：
底层硅膜，位于所述结构的最底层；
导电层，位于所述底层硅膜的上表面，包括电荷引导层和阻挡层，所述阻挡层生长于电荷引导层的上、下表面；
埋氧层，位于所述导电层的上表面；
有源区，包括源区、沟道区、漏区、漂移区、位于沟道区上表面的栅区以及位于栅区与沟道区之间的栅氧化层；所述漂移区由交替排布的n型柱区和p型柱区构成；
沟槽隔离结构，位于有源区周围；
电极，包括从源区引出的源极、从栅区引出的栅极、从漏区引出的漏极以及从导电层引出的导电极。
2.根据权利要求1所述的可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构，其特征在于：所述电荷引导层为熔点高于1000℃，且在900℃环境下难以扩散的金属导电层。
3.根据权利要求1所述的可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构，其特征在于：所述电荷引导层为非金属的良导体层。
4.根据权利要求1所述的可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构，其特征在于：所述电荷引导层的材料为铜；所述阻挡层的材料为氮化钽。
5.根据权利要求1所述的可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构，其特征在于：所述阻挡层的厚度为70～80埃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010231661.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高速立式加工中心性能试验台
- 下一篇：膜式燃气表曲柄精细微调机构
- 同类专利
- 专利分类
