[发明专利]制造加速度传感器的方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及一种制造传感器的方法，尤其涉及一种制造加速度传感器的方法。

【背景技术】

随着科学技术的发展，加速度传感器已越来越多地应用到各类便携式电子产品中，例如：移动电话、照相机、摄像机、游戏机及笔记本电脑等。它可以很好地测量出空间内运动物体在某个方向上的加速力，进而获取其运动的信息，并做出反馈。

SOI(Silicon On Insulator，绝缘衬底上的硅)，是目前较为广泛应用的制造单轴或双轴加速度传感器的方法，它是在半导体硅和绝缘层之间设置一层氧化层的方法实现的，但这种方法的成本太高，不利于降低生产成本，难以实现用户对产品的高性能且低成本的要求。

因此，有必要提出一种新的制造加速度传感器的方法。

【发明内容】

本发明需解决的技术问题在于提供一种低成本、使产品具备设计灵活性的制造加速度传感器的方法。

本发明通过这样的技术方案解决技术问题：

一种制造加速度传感器的方法，其中，该方法包括如下步骤：

A、提供一单晶硅衬底；

B、在单晶硅衬底上沉积绝缘层；

C、在所述绝缘层上沉积牺牲层；

D、利用光刻在牺牲层的表面刻蚀出若干凹槽，使所述凹槽贯穿整个牺牲层至绝缘层；

E、在被刻蚀后的牺牲层上及凹槽内沉积多晶硅，使多晶硅表面形成与若干凹槽对应的凹孔；

F、在两个相邻的凹孔间，用光刻刻蚀出若干间隙，从而得出所需的结构；

G、释放牺牲层。

作为本发明的一种改进，所述绝缘层是采用化学气相沉积的方法而形成的Si₃Ni₄层。

6、作为本发明的一种改进，所述牺牲层是采用化学气相沉积的方法而形成的磷硅玻璃层或硼硅玻璃层。

作为本发明的一种改进，所述凹槽的个数为两个。

作为本发明的一种改进，所述牺牲层的释放是采用氢氟酸来释放的。

本实用新型具有以下优点：由于利用单晶硅来制造加速度传感器，就可以大大降低生产成本，同时，也使得产品的设计具备灵活性，能很好地满足用户对产品高性价比的要求。

【附图说明】

图1至图6为本发明制造加速度传感器的方法的流程图。

【具体实施方式】

下面结合附图和实施方式对本发明作进一步说明。

本发明提供一种基于单晶硅衬底而加工的加速度传感器的方法。图1至图6所示为本发明制造加速度传感器10的方法，其具体操作步骤如下：

A、如图1所示，提供一单晶硅衬底11，并在其上沉积绝缘层12，在本实施方式中，该绝缘层12是采用化学气相沉积的方法而形成的Si₃Ni₄层；

B、如图2所示，在所述绝缘层12上沉积牺牲层13，在本实施方式中，该牺牲层13是采用化学气相沉积的方法而形成的磷硅玻璃层或硼硅玻璃层；

C、如图3所示，利用光刻在牺牲层13的表面130上刻蚀出若干凹槽131，在本实施方式中，凹槽131的个数为两个，且该凹槽131自表面130向远离该表面的方向延伸，使之贯穿整个牺牲层13至绝缘层12；

D、如图4所示，在牺牲层13的表面130上及凹槽131内沉积多晶硅14，并在多晶硅的表面140上形成与若干凹槽130相对应的凹孔141；

E、如图5所示，在两个相邻的凹孔间，用光刻刻蚀出若干间隙141，从而得出所需的结构；

F、利用氢氟酸来释放牺牲层13，如图6中所示，即是释放牺牲层13后，最终得到的加速度传感器10的结构。

本发明中所提高的化学气相沉积，是指反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术。

综上，由于利用单晶硅来制造加速度传感器，就可以大大降低生产成本，同时，也使得产品的设计具备灵活性，能很好地满足用户对产品高性价比的要求。

以上所述的仅是本发明的实施方式，在此应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出改进，但这些均属于本发明的保护范围。